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申请/专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
摘要：本发明涉及磁存储器领域，尤其涉及一种磁存储器件，固定层、通道隔离层、自由层；所述通道隔离层位于所述固定层和所述自由层之间；还包括非磁性结构，所述非磁性结构位于所述自由层中，所述非磁性结构与所述自由层的材料不同。本发明能够有效降低改变MTJ自由层磁化方向的临界电流，减小磁存储器件体积。
主权项：1.一种磁存储器件，包括三层结构，三层结构分别为固定层、通道隔离层和自由层；所述通道隔离层位于所述固定层和所述自由层之间；其特征在于，还包括非磁性结构，所述非磁性结构位于所述自由层中，所述非磁性结构与所述自由层的材料不同；所述自由层具有相对的第一面和第二面，所述第二面较所述第一面远离所述通道隔离层，所述非磁性结构位于所述第二面表面；在所述第一面与所述通道隔离层中间有非磁性薄膜层，所述非磁性薄膜层是通过处理通道隔离层的上表面而形成的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海新微技术研发中心有限公司 磁存储器件
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