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申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
摘要：本发明公开一种多层电容元件以及多层电容元件的设计方法。电容元件包括具有凹槽基板、第一深宽比调制结构以及多个导电层及多个介电层。第一深宽比调制结构位于所述凹槽中，以将所述凹槽定义为第一区域以及第一调制区域，其中所述第一调制区域的深宽比与所述第一区域的深宽比不同。多个导电层及多个介电层交替地堆叠于所述凹槽中。
主权项：1.一种多层电容元件，其特征在于，包括：基板，具有凹槽；第一深宽比调制结构，位于所述凹槽中，以将所述凹槽定义为第一区域以及第一调制区域，其中所述第一调制区域的深宽比与所述第一区域的深宽比不同；以及多个导电层及多个介电层，交替地堆叠于所述凹槽中，其中，在俯视图中，所述多个导电层中的至少一个仅设置于所述第一区域，且未设置于所述第一调制区域，其中所述多个导电层中的至少一导电层自所述第一区域延伸至所述第一调制区域，所述多层电容元件还包括第二深宽比调制结构，位于所述第一区域中，以将所述第一区域定义为第三区域、第二调制区域以及第四区域，其中所述第二调制区域的深宽比与所述第三区域的深宽比及所述第四区域的深宽比不同。
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