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申请/专利权人:深圳三地一芯电子股份有限公司
摘要:本申请涉及一种提升Flash芯片容量的方法,包括:通过扫描检测所有Block,以容量较大、兼顾稳定性为标准获得的某一个block作为公共好页模板CBPM,建立当前block好页模板BPM相对于该公共好页模板CBPM的映射关系的方式,来提升Flash芯片容量。本申请具有提升NandFlash可用容量的效果。
主权项:1.一种提升Flash芯片容量的方法,其特征在于,包括:通过扫描检测所有Block,以某一个block作为公共好页模板CBPM,建立当前block好页模板BPM相对于该公共好页模板CBPM的映射关系的方式,来提升Flash芯片容量;其中,所述所有Block中均有一个坏页,且所述坏页的位置完全不同;建立映射关系时,记录当前block中的坏页相对于公共好页模板CBPM中坏页的位置以及各个block中的不在公共好页模板中的好页模板的位置。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 深圳三地一芯电子股份有限公司 一种提升Flash芯片容量的方法
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