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申请/专利权人：广州诺尔光电科技有限公司
摘要：本发明为一种SOI上单片光电集成的台面型雪崩光电探测阵列芯片及其制备方法，涉及一种SOI衬底上单片光电集成的台面型锗雪崩光电探测APD阵列芯片及其制备方法，提供在SOI衬底上实现拥有p+‑Gei‑Gep‑Sii‑Sin+‑Si垂直结构的GeSiSOI衬底制备方法，旨在为锗APD阵列芯片和FD‑SOI读出电路的单片光电集成提供衬底材料基础；借助SOI衬底顶部硅材料拥有较高的倍增系数与载流子迁移率，兼顾锗APD和FDSOI晶体管性能；提供SOI衬底上锗APD阵列芯片的单片光电集成方案，简化制备工艺步骤，降低成本。
主权项：1.一种SOI衬底上单片光电集成的台面型锗雪崩光电探测阵列芯片制备方法，其特征在于，包括：在SOI衬底由下至上依次形成垂直堆叠结构层，所述垂直堆叠结构层为PI-PIN垂直堆叠结构，形成衬底；然后在所述衬底中自上至下进行垂直刻蚀至裸露出SOI的BOX层，将衬底分隔成光电探测器区域和晶体管区域；其中光电探测器区域形成APD；在晶体管区域刻蚀掉垂直堆叠结构，在裸露出的SOI的i-Si层上依次形成栅极和源漏极，形成晶体管；将所述晶体管和所述光电探测器结构进行电互连；所述垂直堆叠结构自上至下依次为p+-Ge层、本征i-Ge层、p-Si区、本征i-Si层、n型重掺杂Si层；所述晶体管为放大器、信号调节器、读出电路中的一种或多种集成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州诺尔光电科技有限公司 一种SOI上单片光电集成的台面型雪崩光电探测阵列芯片及其制备方法
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