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申请/专利权人：应用材料公司

摘要：提供了一种用于处理基板的系统。所述系统包括：处理腔室，包括封闭处理区域的一个或多个侧壁；以及基板支撑件。所述系统进一步包括：通道，连接到处理腔室；以及第一颗粒检测器，设置在沿着所述通道的第一位置处。第一颗粒检测器包括：能源，被构造为发射第一射束；一个或多个光学器件，被构造为沿着一个或多个路径引导所述第一射束，其中所述一个或多个路径延伸穿过通道的至少一部分。第一颗粒检测器进一步包括：第一能量检测器，设置在不同于一个或多个路径上的位置处。所述系统进一步包括：控制器，被构造为与第一颗粒检测器通信，其中所述控制器被构造为基于从第一颗粒检测器接收的信号来识别故障。

主权项：1.一种用于处理基板的系统，包含：处理腔室，包含：一个或多个侧壁，封闭内部区域；以及基板支撑件；第一通道，连接到所述处理腔室；以及第一颗粒检测器，设置在沿着所述第一通道的第一位置处，其中所述第一颗粒检测器包含：能源，被构造为发射第一射束；一个或多个光学器件，被构造为沿着一个或多个路径引导所述第一射束，其中所述一个或多个路径延伸穿过所述第一通道的至少一部分；以及第一能量检测器和第二能量检测器，所述第一能量检测器和所述第二能量检测器设置在不同于所述一个或多个路径上的位置处；以及控制器，被构造为与所述第一颗粒检测器通信，其中所述控制器被构造为基于从所述第一颗粒检测器的所述第一能量检测器和所述第二能量检测器接收的信号来识别故障，并且所述第一颗粒检测器和所述控制器被构造为共同地：将由所述第一能量检测器和所述第二能量检测器检测到的具有高于第一阈值的幅度的能量脉冲记录为检测到的颗粒；在第一时间段期间执行检测到的颗粒的数量的第一计数；根据所述第一计数和所述第一时间段计算所述第一通道中的颗粒率；将由所述第一能量检测器和所述第二能量检测器检测到的具有高于第二阈值的幅度的能量脉冲记录为检测到的大颗粒，其中所述第二阈值大于所述第一阈值；在所述第一时间段期间执行检测到的大颗粒的数量的第二计数；根据所述第二计数和所述第一时间段计算所述第一通道中的大颗粒率；以及基于所计算的颗粒率和所计算的大颗粒率来识别所述故障，其中同时到达所述第一能量检测器和所述第二能量检测器的能量脉冲被处理为一个颗粒。

全文数据：用于基板处理的颗粒检测技术领域本公开内容的实施方式大体上涉及一种用于在处理基板期间检测颗粒的方法和设备。背景技术可在处理腔室中对基板例如半导体基板执行数种工艺，诸如沉积工艺、注入工艺、光刻步骤等等。随着在给定的处理腔室中处理每个附加基板，颗粒可开始在腔室内部累积。处理腔室内部的颗粒累积最终导致颗粒着落在正在处理的基板表面上，若足够大的颗粒着落在基板表面上，则颗粒可破坏基板上的电子部件或电路系统，这可导致器件故障并且降低产品产量。为了防止颗粒在处理基板期间导致此种问题，经常在颗粒分析器中测试出自给定样品量例如100个基板的一个基板。尽管颗粒分析器能够检测何时在给定基板上存在过多的特定大小的颗粒，但是仅测试了出自给定样品量的一个基板。因此，到检测到在基板表面上具有过多颗粒时，往往已经存在许多先前处理的可能具有相同问题的其他基板。在这些情况下，许多经处理的基板和或在所述基板上形成的器件可被颗粒污染破坏。在另一方面，分别测试每一个经处理的基板是过于耗费时间和高成本的。因此，存在对用于以成本有效方式处理基板的改良系统和方法的需要，所述改良系统和方法能够防止由处理腔室内部的颗粒累积导致的浪费并且克服上文描述的问题。发明内容本公开内容的实施方式大体上涉及用于基板处理的颗粒检测。在一个实施方式中，提供一种用于处理基板的系统。所述系统包括：处理腔室，包括封闭处理区域的一个或多个侧壁；以及基板支撑件。所述系统进一步包括：第一通道，连接到处理腔室；以及第一颗粒检测器，设置在沿着所述第一通道的第一位置处。第一颗粒检测器包括：能源，被构造为发射第一射束；一个或多个光学器件，被构造为沿着一个或多个路径引导所述第一射束，其中所述一个或多个路径延伸穿过第一通道的至少一部分。第一颗粒检测器进一步包括：第一能量检测器，设置在不同于所述一个或多个路径上的位置处。所述系统进一步包括：控制器，被构造为与第一颗粒检测器通信，其中所述控制器被构造为基于从第一颗粒检测器接收的信号来识别故障。在另一实施方式中，提供一种监控用于在处理腔室中处理基板的系统的方法。所述方法包括：将基板放置在处理腔室中；通过第一通道从所述处理腔室排放气体或将气体供应至所述处理腔室；沿着跨越所述第一通道的第一区域的第一路径传输第一射束；在第一能量检测器处检测来自所述第一射束的第一多个能量脉冲，其中所述第一能量检测器设置在不同于第一路径上的位置处；以及基于所检测的第一多个脉冲来识别故障。在另一实施方式中，提供一种用于处理基板的系统。所述系统包括：处理腔室，包括封闭内部区域的一个或多个侧壁；基板支撑件；以及第一颗粒检测器，设置在所述处理腔室中。第一颗粒检测器包括：能源，被构造为发射第一射束；射束收集器beamdump；一个或多个光学器件，被构造为沿着一个或多个路径引导所述第一射束，其中一个或多个路径在所述能源处开始并且在所述射束收集器处结束。第一颗粒检测器进一步包括：第一能量检测器，设置在不同于一个或多个路径上的位置处。所述系统进一步包括：控制器，被构造为与第一颗粒检测器通信，其中所述控制器被构造为基于从第一颗粒检测器接收的信号来识别故障。附图说明为了能够详细理解本公开内容的上述特征，可通过参考实施方式获得上文简要概述的本公开内容的更特定的描述，一些实施方式在附图中示出。然而，应注意，附图仅示出本公开内容的典型实施方式并且由此不被认为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其他等效的实施方式。图1是根据一个实施方式的用于处理基板的系统的侧视图。图2是根据一个实施方式的围绕排放通道设置的颗粒检测器的侧视截面图。图3是根据另一实施方式的围绕排放通道设置的颗粒检测器的侧视截面图。图4示出了根据一个实施方式的监控用于在处理腔室中处理基板的系统的方法的处理流程图。图5是根据另一实施方式的用于处理基板的系统的侧视图。为了便于理解，在可能的情况下，相同参考数字已用以表示各图中共用的相同元件。应预期在一个实施方式中公开的元件可以有利地用于其他实施方式而不需特别详述。具体实施方式本公开内容的实施方式大体上涉及用于在基板处理期间检测颗粒的方法和设备。本文所描述的颗粒检测在在处理腔室中处理基板时通过监控基板所暴露的气体和从处理腔室的处理区域移除的排气来执行，所述气体诸如供应至处理腔室的处理区域或内部区域104的处理气体。图1是根据一个实施方式的用于处理基板50的系统100的侧视图。系统100包括处理腔室101。处理腔室101包括封闭内部区域104的一个或多个侧壁102、顶部103和底部106。处理腔室101进一步包括由轴112支撑的基板支撑件110。基板50可在处理之前被放置在基板支撑件110上。尽管示出了简化的腔室，但处理腔室101可适用于执行任何数量的通常在半导体工业中使用的工艺，诸如沉积、蚀刻工艺、离子注入和光刻步骤。系统100可进一步包括连接到处理腔室101的排放通道130。排放通道130可用于从内部区域104排放气体和空中游离颗粒。排放通道130亦可用于在处理腔室101的内部区域104中产生真空环境。系统100可进一步包括连接到处理腔室101的入口通道150。入口通道150可用于将处理气体供应到处理腔室101的内部区域104，所述处理气体诸如用于将层沉积到基板50上的处理气体。系统100可进一步包括设置在沿着排放通道130的位置处的排放颗粒检测器200A。类似地，系统100可进一步包括设置在沿着入口通道150的位置处的入口颗粒检测器200B。颗粒检测器200A、200B均可用于在处理腔室101中处理期间检测颗粒。颗粒检测器200A、200B可使用如下文参考图2和图3描述的激光散射技术来检测颗粒。将颗粒检测器200A、200B与入口气体流和排放气体流直列in-line放置允许在使用处理腔室101期间实时监控颗粒计数。此实时监控可提高产品质量并改良效率。例如，因为可在处理每一个基板期间监控入口和排气，这可避免将不满足质量控制标准的基板处理，所以可以改良产品质量。因为可以在颗粒水平导致器件产量问题之前或在与使用预计的腔室维护计划不同但需要执行清洁过程时执行清洁过程，所以可以改良效率。此外，颗粒检测器200A、200B可用于通过指示颗粒水平已经降到指示处理腔室101干净的水平来确定何时完成清洁过程。系统100可进一步包括被构造为与颗粒检测器200A、200B通信的控制器105。控制器105可被构造为基于从颗粒检测器200A、200B接收的信号来识别条件，诸如故障。例如，在一个实施方式中，控制器105可识别由颗粒检测器200A、200B中的一个或多个检测到的颗粒率超出阈值。在从处理腔室101移除正在处理的基板之后，控制器105可启动用于清洁处理腔室101的待执行的序列。在一个实施方式中，系统100包括远程等离子体源RPS180，当颗粒检测器200A、200B中的一个或多个指示处理腔室101和或支撑部件的至少一部分需要被清洁时，控制器105可启动RPS180以清洁处理腔室101。控制器105通常包括中央处理单元CPU、存储器和支持电路。CPU可为可在工业设定中使用的任何形式的通用计算机处理器中的一种。支持电路常规地耦接到CPU并且可包含高速缓存、时钟电路、输入输出子系统、电源等等。载入存储器中的软件程序将CPU转换为专用计算机控制器。存储器可以包括非瞬时存储器，所述非瞬时存储器可托管host应用程序，当由CPU执行时，所述应用程序可指示系统100的部件执行本文描述的方法，诸如下文参考图4描述的方法400。此外，对本文提供的控制器105的提及包括一个或多个物理处理器执行部分计算的情况，所述处理器诸如位于颗粒检测器和用于系统100的集中式控制器中的一者内的处理器。因此，控制器105可以指用于控制系统100的集中式控制器和或用于控制和监控系统100的任何处理器。图2是根据一个实施方式的颗粒检测器200A的侧视截面图。尽管参考排放通道130和排放颗粒检测器200A描述图2，但是所述描述可类似地应用到入口通道150和入口颗粒检测器200B。排放颗粒检测器200A可包括容纳内部区域205的中央部分204，所述内部区域205形成排放通道130的一部分。用于检测颗粒的排放颗粒检测器200A的部件可围绕中央部分204设置。例如，排放颗粒检测器200A可包括用于沿着路径P将能量射束引导至内部区域205中并穿过所述内部区域205的第一部分200A1、在路径P的端部处用于吸收能量射束的未受干扰部分例如未反射或实质上衍射的部分的第二部分200A2、用于检测颗粒对能量射束在第一方向图2中的向上上的反射的第三部分200A3、和用于检测颗粒对能量射束在第二方向图2中的向下上的反射的第四部分200A4。在一个实施方式中，排放颗粒检测器200A可在排放颗粒检测器200A的X方向上的任一端处包括凸缘未示出，以能够安装到排放通道130的管道上的对应凸缘未示出。在一个示例中，凸缘可为KF、CF、ISO或其他类似类型的凸缘。排放颗粒检测器200A的第一部分200A1可包括被构造为发射第一射束211的能源201。能源201可以为例如准直的相干光源亦即相干电磁辐射，诸如激光器或激光二极管。在一些实施方式中，激光器可以为具有从约20mW至约10W诸如约200mW至约2W的功率输出的红色激光器或绿色激光器。第一部分200A1可进一步包括被构造为沿着路径P引导第一射束211穿过排放颗粒检测器200A的内部区域205的一个或多个光学器件。例如，第一部分200A1可包括光学器件，诸如第一圆柱透镜221、第二圆柱透镜222和光圈aperture225。第一圆柱透镜221可经定位以接收第一射束211并输出第二射束212。第二射束212可以是二维射束，诸如矩形射束。第二圆柱透镜222可经定位以从第一圆柱透镜221接收第二射束212并输出第三射束213。第三射束213可以是二维射束，诸如矩形射束，使得与集中在一点上的射束相比能够分析内部区域205的较大部分以用于检测颗粒。在一些实施方式中，第三射束213在Z方向上的维度比第二射束212在Z方向上的维度长约2倍至约10倍，诸如长约6倍。光圈225可被定位为从第二圆柱透镜222接收第三射束213。光圈225限制穿过光圈225的二维第三射束213的大小。在一个实施方式中，光圈225是可调节的光阑。在一些实施方式中，光圈225在Z方向上比第三射束213在Z方向上的尺寸较短。第一部分200A1可包括设置在光圈225与内部区域205之间的第一窗231。第一窗231允许来自第三射束213的能量例如光传递到内部区域205中，同时防止排气中的任何气体或颗粒进入第一部分200A1内部。窗231可相对于中央部分的壁凹陷以减少来自第三射束213的可直接行进到第三部分200A3或第四部分200A4的光的量。此外，光圈225可在Z方向上比窗231在Z方向上的尺寸较短。窗231可为低散射窗，并且在一些实施方式中，可在所述窗的一个或多个表面上添加一个或多个挡板以进一步限制不是由颗粒导致的第三射束在内部区域205中的任何散射。第三射束213通过第一窗231并且沿着路径P行进到排放颗粒检测器200A的第二部分200A2。路径P延伸穿过排放通道130的至少一部分以使得能够对排放通道130中的颗粒进行检测。在图2所示的实施方式中，路径P从排放颗粒检测器200A的中心部分204的一侧延伸到相对侧。第二部分200A2可直接定位在第一部分200A1对面。第二部分200A2可包括射束收集器280以吸收第三射束213的能量。射束收集器280帮助减少不是由颗粒导致的第三射束213的任何反射。第三射束213可在颗粒75在+X或-X方向上经过内部区域205时射到颗粒75上。颗粒75可导致第三射束213在数个方向上的反射，所述方向包括朝向排放颗粒检测器200A的第三部分200A3和第四部分200A4的方向。当颗粒75在X方向上被排放穿过第三射束213并产生反射时，移动的颗粒75可产生导向第三部分200A3和第四部分200A4的能量脉冲255。第三部分200A3和第四部分200A4可各自包括收集透镜241和能量检测器251。收集透镜241可用于将能量脉冲255集中到能量检测器251上。第三部分200A3和第四部分200A4的能量检测器251被设置在不同于路径P上的位置处，使得能量检测器251仅接收从第三射束213反射的能量脉冲255。在一些实施方式中，第三部分200A3或第四部分200A4中的能量检测器251可以是光电倍增管。系统100的控制器105可用于对到达能量检测器251的能量脉冲255计数。控制器105可将由能量检测器251检测的具有高于第一阈值的测量幅度的能量脉冲255记录为检测到的颗粒。第一阈值可帮助滤掉到达能量检测器251的任何噪声或环境辐射。同时到达同一能量检测器251的能量脉冲255可被处理为一个颗粒。此外，同时到达部分200A3、200A4的能量检测器251的能量脉冲255亦可被处理为一个颗粒。具有两个能量检测器251可有助于通过仅当在部分200A3、200A4的每个部分的能量检测器251处检测到一个或多个能量脉冲时计数检测到的颗粒来减少颗粒的错误检测的发生。当能量脉冲255被接收在能量检测器251处时，由能量检测器251供应的信号的幅度可与反射能量脉冲255的颗粒75的大小有关。例如，与小颗粒相比，大颗粒可朝向能量检测器251反射更多能量。控制器105可将由能量检测器251检测的具有高于第二阈值的幅度的能量脉冲255记录为检测到的大颗粒。第二阈值大于第一阈值。针对一些工艺，由于较大颗粒能对在基板50上生产的器件导致更多损坏，因此与总体颗粒水平相比监控大颗粒水平可能更为重要。在一些实施方式中，可使用多于两个阈值例如10个阈值，并且颗粒大小分布可根据在能量检测器251处接收的能量脉冲255得出。控制器105可使用第一阈值和第二阈值来对在第一时间段期间检测到的颗粒和检测到的大颗粒的数量计数。控制器105可根据检测到的颗粒计数和第一时间段计算排气中的颗粒率。类似地，控制器105可根据检测到的大颗粒计数和第一时间段计算排气中的大颗粒率。控制器105可基于所计算的颗粒率和或所计算的大颗粒率来识别条件例如故障。所识别的条件可用于向操作人员报警，或使控制器105响应于所识别的条件来采取一些自动行动。例如，在一些实施方式中，当检测到高颗粒率和或高大颗粒率时，控制器105可确定在完成处理腔室101中正在处理的当前基板50之后在处理腔室101中不处理另一基板。在从处理腔室移除当前基板50之后，控制器105可进一步启动处理腔室101内的清洁操作。此外，控制器105可在清洁操作期间继续对检测到的颗粒计数，并且继续清洁操作直到所检测的颗粒率和或大颗粒率降到规定阈值以下。图3是根据一个实施方式的围绕排放通道130设置的颗粒检测器300A的侧视截面图。颗粒检测器300A类似于上文描述的颗粒检测器200A，除了颗粒检测器300A包括与颗粒检测器200A的第一部分200A1不同的第一部分300A1。尽管颗粒检测器200A的第一部分200A1引导具有薄片二维形状的第三射束213穿过排放通道130，但颗粒检测器300A的第一部分300A1引导较窄射束312穿过排放通道130。与颗粒检测器200A一样，颗粒检测器300A可在系统100的排放通道130或入口通道150中使用。第一部分300A1可包括上文描述的能源201。然而，在一些实施方式中，可使用不同的能源。此处，能源201被构造为发射第一射束311。第一部分300A1可进一步包括一个或多个光学器件，所述光学器件被构造为沿着一个或多个路径此处示出为路径P1-P3引导第一射束311穿过排放颗粒检测器300A的内部区域205。例如，第一部分300A1可包括光学器件，诸如扫描器315和第一透镜321。扫描器315可被定位为接收第一射束311并输出第二射束312。扫描器315可以是可调节的以改变第二射束312的方向，使得第二射束312沿着不同路径行进穿过排放通道130。在一个实施方式中，扫描器315为扫描电流计，所述扫描电流计能够围绕X轴铰接并且跨越X-Z平面传递带形射束。第一透镜321可被定位为接收第二射束312并引导第二射束312穿过窗231及穿过排放通道130到射束收集器280。在一个实施方式中，第一透镜321可以是f-θf-theta透镜。图3示出沿着路径P1-P3被引导穿过排放通道130的三个独立的第二射束312。三个独立的第二射束312表示可如何调节扫描器315来沿着不同路径引导第二射束312的示例。通过使用扫描器315来沿着不同路径P1-P3引导第二射束312，可监控排放通道130的较大截面以用于颗粒检测。通过监控此较大截面的排放通道130，可获得更准确的颗粒率数据。示出了沿着第二路径P2引导的第二射束312入射到颗粒75上，这产生朝向第三部分200A3和第四部分200A4引导的能量脉冲255。第三部分200A3和第四部分200A4中的能量检测器251以及控制器105可如上文参考图2描述的那样来使用以确定颗粒率、大颗粒率和颗粒大小分布。此外，控制器105可如上文描述的那样被类似地使用来识别条件，诸如故障，并且相应地响应，诸如在检测到高颗粒率之后暂停处理额外基板。图4示出根据一个实施方式的监控用于在处理腔室101中处理基板50的系统100的方法400的处理流程图。参照图1、图2和图4描述方法400。在方框402处，将基板50放置在处理腔室101中的基板支撑件110上。在方框404处，系统100开始通过入口通道150将处理气体供应到处理腔室101的内部区域104，并且通过排放通道130从处理腔室101排放气体。在方框406处，颗粒检测器200A、200B可开始沿着分别跨越排放通道130和入口通道150的内部区域205的路径P传输第一射束211。在方框408处，每个颗粒检测器200A、2200B中的能量检测器251可在第一时间段期间检测多个能量脉冲255。这些能量脉冲255可由第三射束213从经过第二射束212的颗粒75的反射导致。在方框410处，控制器105可将高于第一阈值的能量脉冲255记录为检测到的颗粒，并且将高于第二阈值的能量脉冲255记录为检测到的大颗粒。在方框412处，控制器可对每个颗粒检测器200A、2200B在第一时间段期间检测到的颗粒和大颗粒的数量计数。在方框414处，控制器105可根据在第一时间段期间检测到的颗粒和检测到的大颗粒的计数计算在通道130、150中的颗粒率和大颗粒率。在方框416处，控制器105可在所计算的颗粒率和或大颗粒率高于或低于规定的阈值时基于所计算的颗粒率和或大颗粒率来识别条件，诸如故障。针对一些条件，控制器105可基于所识别的条件采取适当行动，诸如在计算高颗粒率和或高大颗粒率之后暂停处理额外晶片。在一些实施方式中，控制器105亦可基于所测量的颗粒率与储存在控制器105的存储器中的颗粒故障限制值的比较来启动处理腔室的一个或多个部分中的清洁处理。在一个示例中，当所测量的颗粒率超过颗粒故障限制值例如每立方米气体1个大小＞0.1μm的颗粒颗粒m3时控制器105可使清洁气体例如含卤素气体、惰性气体、活化的含卤素气体等等被供应到处理腔室的内部区域104或通道130、150的一个或多个的一部分，以移除腔室的这些区域中的颗粒源和或降低腔室的这些区域中的颗粒水平。图5是根据另一实施方式的用于处理基板50的系统500的侧视图。系统500与上文描述的系统100相同，除了颗粒检测器200A、200B设置在处理腔室101内部，并且气体通道130、150由相应的气体通道530、550替代。在系统500中，入口通道550延伸穿过处理腔室101的侧壁102的一个，而不是穿过处理腔室101的顶部103进入。当基板支撑件110在用于处理基板50的位置中时，入口颗粒检测器200B设置在基板支撑件110上方。此外，当基板支撑件110在用于处理基板50的位置中时，排放颗粒检测器设置在基板支撑件110下方。相对于设置在处理腔室101外部的颗粒检测器，将颗粒检测器200A、200B放置在处理腔室101内部将颗粒检测器200A、200B放置得更接近正在处理的基板50，从而允许颗粒检测器200A、200B监控在一环境中的颗粒率，所述环境更接近基板50所暴露的环境。颗粒检测器200A、200B可各自在Y方向上沿着路径P引导射束跨越入口通道550。图5示出线L1来显示基板支撑件110不在颗粒检测器200B的路径P的视线内。类似地，图5示出线L2来显示基板支撑件110不在颗粒检测器200A的路径P的视线内。定位基板支撑件110使其不在颗粒检测器200A、200B的相应激光射束的路径P的视线内可减少对在基板50上执行的处理的任何干扰，所述干扰由颗粒检测器200A、200B的相应激光射束的反射导致。虽然前述内容针对本公开内容的实施方式，但是在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可设计出本公开内容的其他和另外的实施方式，并且本公开内容的范围由随附权利要求书确定。

权利要求：1.一种用于处理基板的系统，包含：处理腔室，包含：一个或多个侧壁，封闭内部区域；以及基板支撑件；第一通道，连接到所述处理腔室；以及第一颗粒检测器，设置在沿着所述第一通道的第一位置处，其中所述第一颗粒检测器包含：能源，被构造为发射第一射束；一个或多个光学器件，被构造为沿着一个或多个路径引导所述第一射束，其中所述一个或多个路径延伸穿过所述第一通道的至少一部分；以及第一能量检测器，设置在不同于所述一个或多个路径上的位置处；以及控制器，被构造为与所述第一颗粒检测器通信，其中所述控制器被构造为基于从所述第一颗粒检测器的所述第一能量检测器接收的信号来识别故障。2.如权利要求1所述的系统，其中所述第一颗粒检测器进一步包含设置在不同于所述一个或多个路径上的位置处的第二能量检测器。3.如权利要求1所述的系统，其中所述一个或多个路径包括多个路径；并且所述一个或多个光学器件包含扫描器，所述扫描器是可调节的以沿着所述多个路径中的不同路径引导所述第一射束。4.如权利要求1所述的系统，其中所述一个或多个光学器件包括光圈。5.如权利要求1所述的系统，其中所述第一颗粒检测器和所述控制器被构造为共同地：将由所述第一能量检测器检测到的具有高于第一阈值的幅度的能量脉冲记录为检测到的颗粒；在第一时间段期间执行检测到的颗粒的数量的第一计数；根据所述第一计数和所述第一时间段计算所述第一通道中的颗粒率；以及基于所计算的颗粒率来识别所述故障。6.如权利要求1所述的系统，其中所述第一颗粒检测器和所述控制器被构造为共同地：将由所述第一能量检测器检测到的具有高于第一阈值的幅度的能量脉冲记录为检测到的颗粒；在第一时间段期间执行检测到的颗粒的数量的第一计数；根据所述第一计数和所述第一时间段计算所述第一通道中的颗粒率；将由所述能量检测器检测到的具有高于第二阈值的幅度的能量脉冲记录为检测到的大颗粒，其中所述第二阈值大于所述第一阈值；在所述第一时间段期间执行检测到的大颗粒的数量的第二计数；根据所述第二计数和所述第一时间段计算所述第一通道中的大颗粒率；以及基于所计算的颗粒率和所述计算的大颗粒率来识别所述故障。7.如权利要求1所述的系统，其中所述第一能量检测器是光电倍增管。8.一种监控用于在处理腔室中处理基板的系统的方法，所述方法包含：将基板放置在所述处理腔室中；通过第一通道从所述处理腔室排放气体或将气体供应到所述处理腔室；沿着跨越所述第一通道的第一区域的第一路径传输第一射束；在第一能量检测器处检测来自所述第一射束的第一多个能量脉冲，其中所述第一能量检测器设置在不同于所述第一路径上的位置处；以及基于所检测到的第一多个脉冲来识别故障。9.如权利要求8所述的方法，进一步包含：将由所述第一能量检测器检测到的第二多个能量脉冲记录为检测到的颗粒，其中所述第二多个脉冲中的每个脉冲具有高于第一阈值的幅度；在第一时间段期间执行检测到的颗粒的数量的第一计数；根据所述第一计数和所述第一时间段计算所述第一通道中的颗粒率；以及基于所计算的颗粒率来识别所述故障。10.如权利要求9所述的方法，进一步包含：将由所述第一能量检测器检测到的高于第二阈值的能量脉冲记录为检测到的大颗粒，其中所述第二阈值大于所述第一阈值；在所述第一时间段期间执行检测到的大颗粒的数量的第二计数；根据所述计数和所述第一时间段计算所述第一通道中的大颗粒率；以及基于所计算的大颗粒率来识别所述故障。11.如权利要求9所述的方法，进一步包含在所述第一时间段期间沿着所述第一通道中的不同路径引导所述第一射束。12.如权利要求8所述的方法，其中引导所述第一射束穿过圆柱透镜。13.一种用于处理基板的系统，包含：处理腔室，包含：一个或多个侧壁，封闭内部区域；以及基板支撑件；第一颗粒检测器，设置在所述处理腔室中，其中所述第一颗粒检测器包含：能源，被构造为发射第一射束；射束收集器；一个或多个光学器件，被构造为沿着一个或多个路径引导所述第一射束，其中所述一个或多个路径在所述能源处开始并在所述射束收集器处结束；以及第一能量检测器，设置在不同于所述一个或多个路径上的位置处；以及控制器，被构造为与所述第一颗粒检测器通信，其中所述控制器被构造为基于从所述第一颗粒检测器的所述第一能量检测器接收的信号来识别故障。14.如权利要求13所述的系统，其中所述第一颗粒检测器和所述控制器被构造为共同地：将由所述第一能量检测器检测到的具有高于第一阈值的幅度的能量脉冲记录为检测到的颗粒；在第一时间段期间执行检测到的颗粒的数量的第一计数；根据所述第一计数和所述第一时间段计算所述第一颗粒检测器中的颗粒率；以及基于所计算的颗粒率来识别所述故障。15.如权利要求13所述的系统，其中所述基板支撑件不在所述第一颗粒检测器的所述第一射束的所述一个或多个路径的视线内。

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