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申请/专利权人：拓荆科技股份有限公司
摘要：本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，更具体的说，涉及一种半导体工艺腔体。本实用新型提供了一种半导体工艺腔体，包含一个半月环陶瓷件：所述半月环陶瓷件，设置在腔室身部，为半圆形结构；所述半月环陶瓷件的开口位置，对应于传片通道；其中，所述半月环陶瓷件的半月环两端侧面设置凸台结构，所述传片通道的阀口侧面设置与凸台相匹配的卡口。本实用新型通过在半月环增加凸台结构，有效避免了因半月环位移而引起的传片问题和粒子问题，显著提高了半导体生产的良品率。同时，通过改进底部隔热陶瓷环和支撑陶瓷环的接触面，扩大了接触面积，降低了滑动风险。
主权项：1.一种半导体工艺腔体，其特征在于，包含一个半月环陶瓷件：所述半月环陶瓷件，设置在腔室身部，为半圆形结构；所述半月环陶瓷件的开口位置，对应于传片通道；其中，所述半月环陶瓷件的半月环一端或两端侧面设置凸台结构，所述传片通道的阀口侧面设置与凸台相匹配的卡口。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拓荆科技股份有限公司 一种半导体工艺腔体
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