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申请/专利权人：日月新半导体(苏州)有限公司
摘要：本发明公开了集成电路封装技术领域的厚模BGA集成电路封装工艺，包括如下步骤：S1、塑封；S2、塑封后烘烤；S3、镭射盖印；S4、切单颗后再植球。本发明通过在回流焊之前预先切割封装体成单个芯片，可以有效减少由于封装体内材料热膨胀系数不一致而产生的翘曲现象，从而降低对后续制程的影响；单独植球可以确保每个芯片的植球过程更加精确，避免由于翘曲导致的植球钢网与芯片表面贴合不良，提高植球的良品率；当翘曲现象得到控制后，可以减少或避免因翘曲过大而需要进行的大批量重新烘烤，节省时间和能源，提高生产效率；本发明提供的两种的植球方法，提供了植球的灵活性，可以根据生产需求和设备条件选择最合适的工艺，优化整个生产流程。
主权项：1.厚模BGA集成电路封装工艺，其特征在于：所述封装工艺包括如下步骤：S1、塑封：将塑料材料注入模具中，确保芯片和连接线被均匀覆盖，完成材料的固化，得到封装体；S2、塑封后烘烤：将所述封装体预热，在高温炉中对所述封装体进行烘烤，烘烤完成后逐渐冷却至室温；S3、镭射盖印：使用镭射设备在封装体表面形成标记；S4、切单颗后再植球：对烘烤并标记完成的封装体进行切割和植球，采取以下两种方法中的一种：S401：在产品背面贴耐高温膜后，对封装体进行切割，切割后产品不取下，所述产品在耐高温膜上植球和过回流焊；S402：对封装体进行切割，切割后产品装载在耐高温载具里植球和过回流焊。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日月新半导体(苏州)有限公司 厚模BGA集成电路封装工艺
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