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申请/专利权人：楚赟精工科技(上海)有限公司
摘要：本发明提供了一种半导体激光器的制造方法以及使用该制造方法得到的半导体激光器。该制造方法在540摄氏度以上且不高于600摄氏度的反应温度以及3千帕～7千帕的反应压力下在光栅上形成厚度不超过5纳米的本征InP覆盖层，并控制本征InP覆盖层的生长速率为10纳米分钟～15纳米分钟，以及在590摄氏度以上且不高于600摄氏度的反应温度和前述反应压力下，在所述本征InP覆盖层上以10纳米分钟～15纳米分钟的生长速率顺次形成P型低掺杂InP覆盖层和P型高掺杂InP覆盖层，减轻或避免了光栅的分解变形以及颗粒积聚的生长缺陷。
主权项：1.一种半导体激光器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S0：提供反应室和位于所述反应室内的原始器件，所述原始器件包括n型InP衬底，以及在所述n型InP衬底上自下而上顺次层设的下光场限制层、有源层、上光场限制层和光栅，所述光栅为InGaAsP光栅；S1：控制所述反应室内为540摄氏度以上且不高于600摄氏度的反应温度以及3千帕～7千帕的反应压力，向所述反应室内提供磷源和铟源，从而在所述光栅上以10纳米分钟～15纳米分钟的生长速率形成厚度不超过5纳米的本征InP覆盖层；S2：控制所述反应室内为590摄氏度以上且不高于600摄氏度的反应温度和所述反应压力，向所述反应室内提供所述磷源、所述铟源和锌源，从而在所述本征InP覆盖层上以10纳米分钟～15纳米分钟的生长速率顺次形成P型低掺杂InP覆盖层和P型高掺杂InP覆盖层并包埋所述光栅；S3：在所述P型高掺杂InP覆盖层上顺次形成P型掺杂的势垒渐变层和P型掺杂的欧姆接触层，或者在所述P型高掺杂InP覆盖层上顺次形成腐蚀停止层、所述P型掺杂的势垒渐变层和所述P型掺杂的欧姆接触层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 楚赟精工科技(上海)有限公司 半导体激光器及其制造方法
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