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申请/专利权人：度亘核芯光电技术(苏州)有限公司
摘要：本申请提供一种半导体激光器制备方法及半导体激光器，其中方法包括：在待工艺晶圆上制备对位标记，并基于对位标记制备脊波导；在完成脊波导制备的外延材料表面沉积绝缘介质膜后制备电极窗口；通过浅腐蚀工艺对完成电极窗口制备的晶圆进行预设深度的浅腐蚀，并通过刻蚀修饰工艺对完成浅腐蚀的晶圆进行预设时长的刻蚀修饰以得到目标晶圆；对目标晶圆进行金属蒸镀和金属电镀得到P面电极，对制备有P面电极的目标晶圆的衬底背面进行减薄和金属蒸镀形成N面电极，能通过浅腐蚀保证表面良率及测试良率，消除电极窗口刻蚀带来的损伤问题，通过刻蚀修饰消除浅腐蚀带来的蒸镀空洞问题，保证半导体激光器器件的可靠性。
主权项：1.一种半导体激光器制备方法，其特征在于，包括：在待工艺晶圆上制备对位标记，并基于对位标记制备脊波导；在完成脊波导制备的外延材料表面沉积绝缘介质膜后制备电极窗口；通过浅腐蚀工艺对完成电极窗口制备的晶圆进行预设深度的浅腐蚀，并通过刻蚀修饰工艺对完成浅腐蚀的晶圆进行预设时长的刻蚀修饰以得到目标晶圆；对目标晶圆进行金属蒸镀和金属电镀得到P面电极，对制备有P面电极的目标晶圆的衬底背面进行减薄和金属蒸镀形成N面电极。
全文数据：
权利要求：
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