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申请/专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
摘要：本申请提供了一种宽安全工作区分裂栅器件的制备方法及宽安全工作区分裂栅器件，本申请形成两侧长短不一的沟道，因为两侧沟道的长短不一，从而形成两侧非对称的阈值电压，直流电路开关过程中，阈值的升降可以选择性调节电流流通的沟道，在直流电路开关过程中有效调节电流的分布走向，从而减少热聚集，增大线性工作区负温度系数面积，提升功率器件的安全工作区的热鲁棒性。
主权项：1.一种宽安全工作区分裂栅器件的制备方法，其特征在于，包括：在具有第一掺杂类型的外延层上表面形成间隔设置的掩膜层，所述外延层设置在衬底上表面；对所述外延层上表面无所述掩膜层的区域进行刻蚀，以便在所述外延层中形成第一沟槽；在所述第一沟槽中及所述外延层上表面设置光刻胶；对所述光刻胶进行显影处理，去除所述第一沟槽的一侧壁上的部分光刻胶；对去除光刻胶的所述一侧壁进行刻蚀，以去除部分所述一侧壁；去除所述第一沟槽中的剩余光刻胶和所述外延层上表面的光刻胶；在所述第一沟槽中生长第一氧化层；在所述第一沟槽中填充第一多晶硅；对所述第一多晶硅两侧的所述第一氧化层进行刻蚀，直到刻蚀后的所述第一多晶硅两侧的第一氧化层的上表面高于未被刻蚀的所述一侧壁的上表面；在所述第一多晶硅的两侧和所述外延层侧壁生长第二氧化层；在所述第二氧化层围成的空间中填充第二多晶硅，所述第二多晶硅为栅极多晶硅；在所述外延层中进行离子注入形成第二掺杂类型的阱区；在所述阱区形成第一掺杂类型的注入区；在所述注入区和阱区中形成贯穿所述注入区和阱区的接触孔以便引出源极；在所述衬底下表面设置金属层以便引出漏极。
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权利要求：
百度查询： 上海韦尔半导体股份有限公司 一种宽安全工作区分裂栅器件的制备方法及宽安全工作区分裂栅器件
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