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衬底基板及单晶金刚石层叠基板以及它们的制造方法 

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申请/专利权人:信越化学工业株式会社

摘要:本发明为一种衬底基板,其在用于单晶金刚石层叠基板的衬底基板中,具有初始基板与在所述初始基板上的中间层,所述初始基板为单晶Si{111}基板、单晶α‑Al2O3{0001}基板等中的任意一种,所述初始基板的最外层表面无偏离角,或者相对于立方晶面取向{111}在晶轴‑1‑12方向具有偏离角,或者相对于六方晶面取向{0001}在晶轴10‑10或11‑20方向具有偏离角等。由此,提供一种可将单晶金刚石层制膜的衬底基板,所述单晶金刚石层能够适用于电气·磁力设备,面积大口径大,结晶性高且凸起、异常生长颗粒、位错缺陷等少,纯度高且应力低、品质高。

主权项:1.一种衬底基板,其特征在于,在用于单晶金刚石层叠基板的衬底基板中,具有:初始基板,其为单晶Si{111}基板、单晶Si{001}基板、单晶α-Al2O3{0001}基板、单晶α-Al2O3{11-20}基板、单晶Fe{111}基板、单晶Fe{001}基板、单晶Ni{111}基板、单晶Ni{001}基板、单晶Cu{111}基板及单晶Cu{001}基板中的任意一种;及所述初始基板上的中间层,所述中间层由包含单晶Ir膜、单晶MgO膜、单晶氧化钇稳定化氧化锆膜、单晶SrTiO3膜及单晶Ru膜中的至少任意一种的单层或层叠膜构成,所述初始基板的最外层表面无偏离角,或者相对于立方晶面取向{111}在晶轴-1-12方向具有偏离角,或者相对于六方晶面取向{0001}在晶轴10-10或11-20方向具有偏离角,或者相对于立方晶面取向{001}在晶轴110方向具有偏离角,或者相对于六方晶面取向{11-20}在晶轴10-10或0001方向具有偏离角。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 信越化学工业株式会社 衬底基板及单晶金刚石层叠基板以及它们的制造方法

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