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一种基于光刻、退火的碳基荧光材料图案化方法及其应用 

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申请/专利权人:中北大学

摘要:本发明涉及非金属元素碳基荧光材料领域,尤其涉及一种基于光刻、退火的碳基荧光材料图案化方法及其应用。本发明所述的方法是利用匀胶机将SU‑8旋涂于预先准备的硅片衬底上,通过掩膜曝光和显影的过程制备出图案化的SU‑8薄膜,将图案化的SU‑8薄膜放入真空退火炉中,在高温下SU‑8发生分解和交联反应,最后致使SU‑8转变为碳基材料,成功制备出图案化的碳基荧光薄膜。本发明独特的退火过程改善了材料的化学键结构,这不仅提升了材料的化学稳定性,也优化了其光学属性。因此,通过本发明,可以在不牺牲任何光学性能的情况下,实现复杂图案的高质量制备。

主权项:1.一种基于光刻、退火的碳基荧光材料图案化方法,其特征在于,包括如下步骤:1)图案化SU-8薄膜制备第一步,将SU-8光刻胶从冷藏室中拿出,静置至室温;第二步,以硅片为基底,经清洁后,采用SU-8光刻胶在硅片上旋涂一层SU-8薄膜,得到硅基SU-8薄膜;第三步,将硅基SU-8薄膜进行前烘处理,使SU-8薄膜固化;第四步,利用紫外光刻机对固化后的硅基SU-8薄膜进行掩膜曝光;第五步,将曝光完成后的硅基SU-8薄膜进行中烘处理;第六步,将硅基SU-8薄膜放入显影液中进行显影,去除光刻胶得到图案化结构;第七步,利用去离子水对硅基SU-8薄膜进行清洗并吹干,最终得到图案化的硅基SU-8薄膜;2)图案化SU-8薄膜碳化将图案化后的硅基SU-8薄膜放入真空退火炉内,随后将真空退火炉关闭,保持密封,退火过程为:首先以2℃min的升温速率使温度从20℃升到400℃,随后在400℃下保持30min,最后让图案化后的硅基SU-8薄膜在炉内降温到20℃,整体退火过程真空度保持在20mTorr;最后从炉内取出图案化的碳基荧光薄膜。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中北大学 一种基于光刻、退火的碳基荧光材料图案化方法及其应用

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