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申请/专利权人：环球晶圆股份有限公司
摘要：本发明公开用于涉及硅进料管的惰性气体控制的单晶硅锭生长的方法。还公开包含从硅漏斗或从硅进料管径向延伸以减少气体从所述硅进料管回流到所述生长室中的凸缘的拉锭设备。
主权项：1.一种用于在拉锭设备中以连续丘克拉斯基工艺生长单晶硅锭的方法，所述拉锭设备包括界定生长室的外壳、安置在所述生长室中的坩埚组合件及用于将固体硅添加到所述坩埚组合件的硅进料管，所述方法包括：在坩埚组合件中形成硅熔体；在稳定阶段向所述熔体施加热；在所述稳定阶段期间以第一惰性气体进料速率将惰性气体引入所述硅进料管中；将所述熔体的表面与晶种接触；在锭生长阶段将单晶硅锭从所述熔体中取出；及在所述锭生长阶段期间，将所述惰性气体以第二惰性气体进料速率引入所述硅进料管中，所述第一惰性气体进料速率大于所述第二惰性气体进料速率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 环球晶圆股份有限公司 用于涉及硅进料管的惰性气体控制的单晶硅锭生长的方法
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