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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供一种晶体管、存储单元、存储结构及晶体管的制备方法，晶体管包括衬底、有源层、第一极、第二极、栅极和栅绝缘层，衬底中设置有凸起部，凸起部具有相对的两个第一侧面；有源层位于凸起部的两个第一侧面以及顶面；第一极和第二极分别位于两个第一侧面的有源层上，栅极位于凸起部的顶面的有源层上，栅绝缘层位于栅极和有源层之间。部分有源层位于第一侧面上而沿衬底的厚度方向延伸，以充分利用衬底厚度方向上的空间，从而可缩小有源层的平面尺寸。因此，本公开提供的晶体管、存储单元、存储结构及晶体管的制备方法，可以缩小晶体管的平面尺寸，从而使得存储单元的平面尺寸较小，提高存储结构中的存储单元的密度，提升存储结构的性能。
主权项：1.一种晶体管，其特征在于，包括：衬底、有源层、第一极、第二极、栅极和栅绝缘层，所述衬底中设置有凸起部，所述凸起部具有相对的两个第一侧面；所述有源层位于所述凸起部的两个所述第一侧面以及顶面；所述第一极和所述第二极分别位于两个所述第一侧面的所述有源层上，所述栅极位于所述凸起部的顶面的所述有源层上，所述栅绝缘层位于所述栅极和所述有源层之间。
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权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 晶体管、存储单元、存储结构及晶体管的制备方法
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