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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供一种晶体管、半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决晶体管性能差的技术问题，该晶体管包括衬底；设置在衬底上的第一介质层；设置在第一介质层内的有源层，有源层包括沿第一方向的源区、沟道区和漏区，源区和漏区至少远离衬底的部分区域的缺陷密度大于有源层的其他区域的缺陷密度；设置在第一介质层内的源接触结构、漏接触结构和栅接触结构，源接触结构与源区相接触，漏接触结构与漏区相接触，栅接触结构与沟道区相对且间隔设置。源区和漏区的缺陷密度较高，降低了源接触结构与源区、漏接触结构与漏区的接触电阻，提高晶体管的性能。
主权项：1.一种晶体管，其特征在于，包括：衬底；设置在所述衬底上的第一介质层；设置在所述第一介质层内的有源层，所述有源层包括沿第一方向依次设置的源区、沟道区和漏区，所述源区和所述漏区至少远离所述衬底的部分区域的缺陷密度大于所述有源层的其他区域的缺陷密度；设置在所述第一介质层内的源接触结构、漏接触结构和栅接触结构，其中，所述源接触结构与所述源区接触，所述漏接触结构与所述漏区接触，所述栅接触结构与所述沟道区对应设置；第二介质层，所述第二介质层至少填充在所述栅接触结构与所述源接触结构之间、所述栅接触结构与所述漏接触结构之间，以及所述栅接触结构和所述沟道区之间。
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权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 晶体管、半导体结构及其制作方法
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