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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：描述了半导体器件及其制造方法。所述方法包括在背侧上形成扩散中断开口并填充扩散中断材料以用作平坦化停止件。在一些实施例中，形成单扩散中断开口。在其他实施例中，形成混合扩散中断开口。
主权项：1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在超晶格结构上形成栅极结构，所述超晶格结构在基板上的浅沟槽隔离上，所述超晶格结构包括多个水平沟道层和以多个堆叠对交替布置的对应多个半导体材料层；在所述基板上邻近所述超晶格结构形成多个源极沟槽和多个漏极沟槽；在所述多个源极沟槽和所述多个漏极沟槽中沉积底部介电隔离层；在所述栅极结构上形成光刻胶；图案化所述光刻胶以形成扩散中断开口；在所述扩散中断开口中沉积扩散中断材料；平坦化所述器件；蚀刻以形成延伸至所述底部介电隔离层的多个通孔开口；以及在所述多个通孔开口中并在所述开口中沉积金属以形成多个通孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 具有扩散中断的栅极环绕背侧电力轨
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