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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本申请涉及单一字线增益单元。一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含多个二晶体管2T存储器单元。所述多个2T存储器单元中的每一个包含：p沟道场效应晶体管PFET，其包含电荷存储节点和读取沟道部分；n沟道场效应晶体管NFET，其包含写入沟道部分，所述写入沟道部分直接耦合到所述PFET的所述电荷存储节点；单一位线对，其耦合到所述PFET的所述读取沟道部分；和单一存取线，其与所述读取沟道部分和所述写入沟道部分中的每一个的至少一部分重叠。
主权项：1.一种存储器结构，其包括：多个二晶体管2T存储器单元，所述多个2T存储器单元中的每一个包含：p沟道场效应晶体管PFET，其包含电荷存储节点和读取沟道部分以及所述电荷存储节点和所述读取沟道部分之间的绝缘体材料，所述绝缘体材料将所述电荷存储节点与所述读取沟道部分分开；n沟道场效应晶体管NFET，其包含写入沟道部分，其中所述写入沟道部分直接耦合到所述PFET的所述电荷存储节点；单一位线对，其耦合到所述PFET的所述读取沟道部分；和单一存取线，其结构化为激活所述PFET的所述读取沟道部分和所述NFET的所述写入沟道部分两者。
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