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申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安欣芯材料科技有限公司
摘要：本申请提供了单晶生长方法及系统，该方法包括：在转肩过程中，获取单晶肩部的测量直径；根据测量直径和目标直径之间的差值所在的数值范围，确定控制参数集及其配置参数值；控制参数集包括拉速和或加热功率，不同的数值范围对应的控制参数集不同；基于控制参数集的配置参数值，自动配置相应的控制参数，以使单晶转肩至目标直径。本申请降低了因人为错误导致的生产事故和不良品率，实现从shoulder阶段到body阶段的平缓过渡，减少因转肩较大引起的测量模块信号不良导致长晶失败的情况，采用梯级主动增益的计算逻辑，基于差值所在的数值范围，精确控制转肩过程中的控制参数，提高生长效率。
主权项：1.一种单晶生长方法，其特征在于，所述方法包括：在转肩过程中，获取单晶肩部的测量直径；根据所述测量直径和目标直径之间的差值所在的数值范围，确定控制参数集及其配置参数值；所述控制参数集包括拉速和或加热功率，不同的数值范围对应的控制参数集不同；基于所述控制参数集的配置参数值，自动配置相应的控制参数，以使所述单晶转肩至所述目标直径。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 西安欣芯材料科技有限公司 单晶生长方法及系统
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