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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种多导电沟道的平面栅MOSFET及制备方法，涉及半导体技术领域。在器件的的P体区和P+沟道区之间形成一个薄的N+层，关态状态下G极电极不加电压，该N+层在P体区和P+沟道区的夹持下被完全耗尽，不导电，开态状态下G极电极加正电压，栅氧一侧P+沟道区形成反型层导电沟道，同时由于G极电极加正电压，P体区和P+沟道区夹持的N+层由完全耗尽状态转变为正常导电状态，N+层和反型层导电沟道并联，共同承担器件的通流，降低了平面栅垂直导电MOSFET导通电阻。
主权项：1.一种多导电沟道的平面栅MOSFET的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S100，在外延片（1）内制备若干间隔设置的P体区（2）；步骤S200，在P体区（2）内制备若干间隔设置的N+区（3）；步骤S300，在N+区（3）内制备栅极沟槽（4），并在栅极沟槽（4）内制备P+沟道区（5）；步骤S310，利用光刻工艺，使用掩模将栅极沟槽（4）外部区域保护，通过刻蚀工艺制备栅极沟槽（4）；步骤S320，通过化学气相沉积，在栅极沟槽（4）内形成P+沟道区（5）；步骤S400，在外延片（1）上制备栅介质（6），并在P+沟道区（5）上方的栅介质（6）上制备若干间隔设置的多晶硅（7）；步骤S500，在栅介质（6）和多晶硅（7）上沉积隔离层（8），并在N+区（3）和多晶硅（7）处开窗，分别制备S极电极（9）和G极电极（10）；步骤S600，在外延片底部制备D极电极（11），整个器件制备完毕。
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