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申请/专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
摘要：本申请的各实施例涉及包括电容元件的集成电路和制造方法。集成电路的电容元件包括第一电极和第二电极。第一电极由位于掺杂有第一导电类型的半导体阱上方的第一导电层形成。第二电极由位于半导体阱的第一导电层上方的第二导电层形成。第二电极还由半导体阱内的表面区域形成，该表面区域高度掺杂有与第一导电类型相反的第二导电类型，其中表面区域位于第一导电层下方。电极间电介质区域将第一电极和第二电极电分离。
主权项：1.一种集成电路，包括：掺杂有第一导电类型的半导体阱；和至少一个电容元件，包括：位于所述半导体阱上方的第一导电层，所述第一导电层形成第一电容器电极；所述第一导电层上方的第二导电层；高度掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的表面区域，所述表面区域位于所述半导体阱中并且位于所述半导体阱的上表面处并且位于所述第一导电层下方；和电极间电介质区域，将所述第一导电层从所述第二导电层和所述表面区域中的每个分离；其中所述第二导电层和所述表面区域形成第二电容器电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体(鲁塞)公司 包括电容元件的集成电路和制造方法
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