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经反射光匹配和表面动力模型优化蚀刻轮廓的方法和装置 

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申请/专利权人:朗姆研究公司

摘要:本发明涉及经反射光匹配和表面动力模型优化蚀刻轮廓的方法和装置。公开了优化计算机模型的方法,其通过使用多个模型参数B将半导体衬底上的特征的蚀刻轮廓与成组的独立输入参数A相关联。在一些实施方式中,所述方法可以包括:修改B的一个或多个值,以便相对于A的一组或者多组成组的值减少指示在从模型生成的计算反射光谱和对应的实验反射光谱之间的差的尺度。在一些实施方式中,计算所述尺度可以包括:将所述计算反射光谱和对应的实验反射光谱投射到经降维的子空间上,并且计算投射到所述子空间上的所述反射光谱之间的差。还公开了实现这样的优化计算机模型的蚀刻系统。

主权项:1.一种计算机实现的优化计算机模型的方法,其将半导体衬底上的特征的蚀刻轮廓与成组的独立输入参数相关联,所述方法包括:a为待优化一个或多个模型参数确定值,其中所述模型参数用于执行所述计算机模型;b接收从使用实验蚀刻工艺蚀刻的一个或多个半导体衬底的光学测量产生的实验反射光谱,所述实验蚀刻工艺是使用所述成组的独立输入参数的值执行的;c通过使用在b中指定的所述成组的独立输入参数的所述值和在a中所确定的所述模型参数的值执行所述计算机模型使用计算机处理器生成计算反射光谱;以及d用计算机处理器修改在a中确定的所述一个或多个模型参数的所述值,并且用所述一个或多个模型参数的经修改的所述值重复c,以便相对于所述成组的独立输入参数的所述值,减少指示在b中所接收的所述反射光谱和在c中生成的对应的计算反射光谱之间的差的尺度,从而产生用于所述计算机模型的所述一个或多个模型参数的经修改的值,该模型参数将半导体衬底上的特征的蚀刻轮廓与所述成组的独立的输入参数相关联。

全文数据:

权利要求:

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