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申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司
摘要:在方法中,制备包括具有不同热膨胀系数的两种或更多种材料的结构,并且对该结构进行低温处理。在前述和以下实施例中的一个或多个中,该结构包括半导体晶圆,并且一个或多个层形成在该半导体晶圆上。本申请的实施例还涉及制造半导体器件和电子器件的方法。
主权项:1.一种制造电子器件的方法,包括:制备包括具有不同热膨胀系数的两种或更多种材料的结构;以及测量所述结构的翘曲值;确定所述翘曲值是否在阈值范围内;以及当所述翘曲值超出所述阈值范围时,对所述结构进行低温处理,其中,在所述低温处理期间,不执行其他制造操作,其中,所述低温处理包括将所述结构冷却至在-10℃至-273℃范围内的第一温度。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 制造半导体器件和电子器件的方法
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