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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明提供一种氮化钛膜的成膜方法和氮化钛膜的成膜装置，用于形成电阻率低的氮化钛膜。在该方法中，交替地重复实施对收容在处理容器内的基板供给原料气体的操作和对所述基板供给反应气体的操作来形成所述氮化钛膜，其中，所述原料气体含有含氯和钛的钛化合物，所述反应气体含有含氮且与所述钛化合物进行反应来形成氮化钛的氮化合物。在将所述处理容器内的压力的条件设定成使所述氮化钛膜的电阻率成为57μΩ·cm以下的处于2.7kPa～12.6kPa的范围内的条件下，实施形成所述氮化钛膜的工序。
主权项：1.一种氮化钛膜的成膜方法，其特征在于，包括以下工序：交替地重复实施对收容在处理容器内的基板供给原料气体的操作和对所述基板供给反应气体的操作来形成所述氮化钛膜，其中，所述原料气体含有含氯和钛的钛化合物，所述反应气体含有含氮且与所述钛化合物进行反应来形成氮化钛的氮化合物，在使所述处理容器内的压力处于2.7kPa～12.6kPa的范围内的情况下实施形成所述氮化钛膜的工序，以使得所述氮化钛膜的电阻率成为57μΩ·cm以下，在形成所述氮化钛膜的工序中，在向所述基板供给所述原料气体的期间供给添加气体，所述添加气体含有与所述钛化合物中包含的氯进行反应的硅化合物，开始供给所述添加气体的定时在开始供给所述原料气体之后。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 氮化钛膜的成膜方法和氮化钛膜的成膜装置
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