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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本申请案涉及交叉点存储器阵列及相关制造技术。本文中所描述的所述制造技术可有助于同时建置安置于交叉点架构中的两个或两个以上存储器胞元层。每一存储器胞元层可包含多个第一存取线例如字线、多个第二存取线例如位线及第一存取线与第二存取线的每一拓朴相交点处的存储器组件。所述制造技术可使用形成于复合堆叠的顶层处的通孔的图案，从而可有助于在使用缩减数目个处理步骤时在所述复合堆叠内建置3D存储器阵列。所述制造技术还可适于形成插槽区，在所述插槽区处，所述3D存储器阵列可与存储器装置的其它组件耦合。
主权项：1.一种用于制造存储器装置的方法，其包括：形成穿过堆叠的顶层的多个通孔，所述堆叠在第一层处包括第一电介质材料、在第二层处包括第二电介质材料以及所述第一层和所述第二层之间的第三层，其中所述第三层包括硫族化物材料；至少在所述第一层处的所述第一电介质材料中形成第一沟道，所述第一沟道连接所述多个通孔中的至少两者；使所述第一沟道填充有电极材料；在所述第一沟道内的所述电极材料中形成比所述第一沟道窄的第二沟道；及使所述第二沟道填充有所述第一电介质材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 用于制造存储器装置的方法
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