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静电放电和过驱动保护电路 

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申请/专利权人:美国亚德诺半导体公司

摘要:本文涉及静电放电和过驱动保护电路。公开用于防止过驱动和静电放电的系统和电路。例如,保护电路可以包括场效应晶体管,以在一些电路的工作电压范围之外将过驱动放电来防止损坏电路。此外,保护电路可以利用场效应晶体管中固有的二极管特征来防止某些情况下的静电放电。该电路可以在射频采样模数转换器中实现,并且可以为模数转换器提供单端信号输入和或输出。

主权项:1.一种输入输出保护电路,包括:第一晶体管,耦合在设备的输入输出与所述设备的共模节点之间,所述共模节点被设置到所述设备的共模电压,其中当所述输入输出上的电压超过第一阈值电压时,所述第一晶体管在所述输入输出和所述共模节点之间传导电流;第二晶体管,耦合在所述输入输出和所述共模节点之间,其中当所述输入输出上的电压低于第二阈值电压时,所述第二晶体管在所述输入输出和所述共模节点之间传导电流;第三晶体管,耦合到所述第一晶体管的栅极,并且所述第三晶体管耦合到所述输入输出,其中当所述输入输出上的电压超过所述第一阈值电压时所述第三晶体管传导电流,其中所述第一阈值电压施加于第三晶体管的栅极,其中,所述第三晶体管的源极耦合到所述输入输出;和第四晶体管,耦合到所述第二晶体管的栅极,并且所述第四晶体管耦合到所述输入输出,其中当所述输入输出上的电压低于所述第二阈值电压时,所述第四晶体管传导电流,其中所述第二阈值电压施加于第四晶体管的栅极,其中,所述第四晶体管的源极耦合到所述输入输出,其中当所述第四晶体管的源极处的电压超过所述第二阈值电压时所述第三晶体管传导电流。

全文数据:

权利要求:

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