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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

摘要：本申请提供了一种CMP缺陷的检测方法、装置、存储介质和处理器。该检测方法包括获取CMP缺陷产生的预定条件；根据预定条件提取版图中的预定产生CMP缺陷的目标区域；获取目标区域的等效线宽和等效间距；根据等效线宽和等效间距确定CMP缺陷的位置。该检测方法可以在版图的预定产生CMP缺陷的目标区域中确定CMP缺陷的位置，从而可以检测存在于芯片表面的局部区域的缺陷。该CMP缺陷的检测方法解决了现有技术中的CMP缺陷的检测方法难以检测存在于芯片表面的局部区域的缺陷的问题。

主权项：1.一种CMP缺陷的检测方法，其特征在于，包括：获取CMP缺陷产生的预定条件；根据所述预定条件提取版图中的预定产生CMP缺陷的目标区域；获取所述目标区域的等效线宽和等效间距；根据所述等效线宽和所述等效间距确定所述CMP缺陷的位置；在获取所述目标区域的等效线宽和等效间距之前，所述检测方法还包括：以所述目标区域的中心点为中心，对所述版图进行网格划分，得到多个网格；获取所述目标区域的等效线宽和等效间距包括：确定目标相邻图案，所述目标相邻图案为与所述目标区域相邻的且一个边长在所述目标区域的长边长上的投影长度最大的图案；获取第一关系式和第二关系式，所述第一关系式为周围区域的线宽与目标边长或者目标宽度的关系式，所述第二关系式为周边区域密度与目标边长或者目标宽度的关系式，所述周围区域为目标网格中除中心区域之外的区域，所述目标网格为所述目标区域所在的所述网格，所述中心区域为所述目标网格中包括所述目标区域的区域，所述目标边长为所述目标相邻图案的在所述目标区域的长边长上的投影长度最大的边长，所述目标宽度为所述目标相邻图案中所述目标边长对应部分的宽度；根据所述第一关系式以及第二关系式获取所述等效线宽和所述等效间距，根据所述等效线宽和所述等效间距确定所述CMP缺陷的位置包括：根据所述等效线宽和所述等效间距对所述目标网格进行CMP模拟；根据所述CMP模拟的结果确定所述CMP缺陷的位置以及所述CMP缺陷的结构；根据所述第一关系式以及第二关系式获取所述等效线宽和所述等效间距包括：根据所述第一关系式和第二关系式获取第三关系式和第四关系式，其中，所述第三关系式为所述中心区域的第一上表面压力与所述目标边长以及所述目标宽度的关系式，所述第四关系式为所述中心区域的第一下表面压力与所述目标边长以及所述目标宽度的关系式；获取标准网格的第二上表面压力值和第二下表面压力值，所述标准网格中包含一组具有标准线宽以及标准间距的线条；令所述第一上表面压力等于所述第二上表面压力值，令所述第一下表面压力等于所述第二下表面压力值，计算得到所述等效线宽和所述等效间距。

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百度查询： 中国科学院微电子研究所 CMP缺陷的检测方法、装置、存储介质和处理器