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申请/专利权人：太浩研究有限公司
摘要：描述了用于基于鳍状物的电子设备的固体源扩散的结。在一个示例中，在衬底上形成鳍状物。在衬底之上并且在鳍状物的下部部分之上沉积第一掺杂剂类型的玻璃。在衬底和鳍状物之上沉积第二掺杂剂类型的玻璃。对玻璃进行退火以将掺杂剂驱动到鳍状物和衬底中。去除玻璃并且在鳍状物之上形成不接触鳍状物的下部部分的第一接触部和第二接触部。
主权项：1.一种集成电路结构，包括：包括硅的鳍状物，所述鳍状物具有下鳍状物部分和上鳍状物部分；包括P型掺杂剂的电介质层，所述电介质层直接位于所述鳍状物的所述下鳍状物部分的第一侧壁和第二侧壁上，所述电介质层具有与所述鳍状物的所述下鳍状物部分的所述第一侧壁横向相邻的第一上端部分，并且所述电介质层具有与所述鳍状物的所述下鳍状物部分的所述第二侧壁横向相邻的第二上端部分；包括氧的隔离材料，所述隔离材料与直接位于所述鳍状物的所述下鳍状物部分的所述第一侧壁和所述第二侧壁上的所述电介质层横向相邻，所述隔离材料具有第一上表面部分和第二上表面部分，其中，所述隔离材料的所述第一上表面部分位于所述电介质层的所述第一上端部分下方，并且其中，所述隔离材料的所述第二上表面部分位于所述电介质层的所述第二上端部分下方；以及栅极电极，其位于所述鳍状物的所述上鳍状物部分的顶部之上并与所述鳍状物的所述上鳍状物部分的侧壁横向相邻，并且所述栅极电极位于所述电介质层的所述第一上端部分和所述第二上端部分之上，并且所述栅极电极位于所述隔离材料的所述第一上表面部分和所述第二上表面部分之上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 太浩研究有限公司 用于基于鳍状物的电子设备的固体源扩散结
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