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申请/专利权人：光梓信息科技(深圳)有限公司

摘要：本发明提供一种输出级电路、电子设备及信号输出方法，包括：输出模块，具有串联在正电源和负电源之间的放大级及偏置级，偏置级包括以共源共栅结构连接的第一、第二全隔离高压NMOS管，第一全隔离高压NMOS管的栅极连接第一偏置电压，第二全隔离高压NMOS管的栅极连接第二偏置电压；偏置模块，基于第一全隔离高压NMOS管的源极电压产生并调整第一偏置电压，使得输出信号的输出摆幅为第一、第二全隔离高压NMOS管的耐压值的2倍。本发明可以提高输出摆幅（传统的输出摆幅不高于N型隔离晶体管的一倍耐压值），本发明通过在N型隔离晶体管上设置新型的偏置模块，使输出摆幅达到N型隔离晶体管的两倍耐压值。

主权项：1.一种输出级电路，其特征在于，所述输出级电路至少包括：输出模块及偏置模块；其中，所述输出模块包括串联在正电源和负电源之间的放大级及偏置级，所述放大级接收输入信号，所述放大级与所述偏置级的连接节点产生输出信号；所述偏置级包括以共源共栅结构连接的第一全隔离高压NMOS管及第二全隔离高压NMOS管，所述第一全隔离高压NMOS管的栅极连接所述偏置模块输出的第一偏置电压，所述第二全隔离高压NMOS管的栅极连接第二偏置电压；所述偏置模块连接所述输出模块，基于所述第一全隔离高压NMOS管的源极电压产生并调整所述第一偏置电压，当所述输出信号大于等于所述负电源且小于预设值时使所述第一全隔离高压NMOS管工作于线性区，当所述输出信号大于所述预设值且小于等于所述正电源时使所述第一全隔离高压NMOS管工作于饱和区，以使得所述输出信号的输出摆幅为所述第一全隔离高压NMOS管及所述第二全隔离高压NMOS管的耐压值的2倍；其中，所述第一全隔离高压NMOS管与所述第二全隔离高压NMOS管的耐压值相等；所述偏置模块包括第一电压跟随单元、第二电压跟随单元及分压单元；所述第一电压跟随单元的高压端连接中间电压，低压端连接所述负电源，输入端连接所述第一全隔离高压NMOS管及所述第二全隔离高压NMOS管的连接节点；所述第二电压跟随单元的低压端连接所述负电源，输入端连接所述第一电压跟随单元的输出端；所述分压单元连接于所述中间电压与所述第二电压跟随单元的输出端之间，产生所述第一偏置电压；所述中间电压介于所述正电源与所述负电源之间。

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百度查询： 光梓信息科技(深圳)有限公司 输出级电路、电子设备及信号输出方法