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申请/专利权人：钰泰半导体股份有限公司

摘要：本发明提供一种开关电源高压线性供电电路，包括依次串联的高压结型场效应管、第一和第二NMOS管；高压结型场效应管的漏极接收电压输入端，其源极输出钳位电压；第一NMOS管的漏极接收钳位电压，其源极输出高压，其漏极和栅极通过第一电阻连接，第一电阻上的压降使第一NMOS管保持导通；第二NMOS管的漏极接收高压并与上拉支路的正端连接，其源极连接低压，其栅极连接上拉支路的负端，上拉支路上的压降使第二NMOS管保持导通。本发明的供电电路利用高压结型场效应管、第一和第二NMOS管依次串联形成的单一电流支路来获得用于产生功率开关控制信号的高压供电电源和用于低压控制电路供电的低压电源，减少硬件消耗且降低功耗。

主权项：1.一种开关电源高压线性供电电路，其用于一开关电源系统，其特征在于，包括依次串联于提供高压的电压输入端（VIN）和低压供电电源（VCC）之间的高压结型场效应管（JFET）、第一NMOS管（M1）和第二NMOS管（M2）；所述的高压结型场效应管（JFET）的漏极接收电压输入端（VIN），其栅极接地，其源极输出一钳位电压（VP）；所述的第一NMOS管（M1）的漏极接收所述钳位电压（VP），其源极输出一高压供电电源（VH）；第一NMOS管（M1）的漏极和栅极通过第一电阻（R1）连接，第一电阻（R1）上的压降使所述第一NMOS管（M1）保持导通状态；所述的第二NMOS管（M2）的漏极接收所述的高压供电电源（VH）并与一上拉支路（101）的正端连接，其源极连接一低压供电电源（VCC），其栅极连接所述上拉支路（101）的负端，上拉支路（101）上的压降用于使所述的第二NMOS管（M2）保持导通状态；所述的开关电源高压线性供电电路还包括第三NMOS管（M3）、一检测支路（201）和自调节支路（301），所述的第三NMOS管（M3）的源极接地，其栅极接收一第一使能信号（EN1），其漏极输出一第二栅极控制信号到所述的第二NMOS管（M2）的栅极，以在第一使能信号（EN1）为高电平时使得上拉支路（101）对所述第二NMOS管（M2）的导通失效，驱动所述第二NMOS管（M2）截止，在第一使能信号（EN1）为低电平时使得上拉支路（101）对第二NMOS管（M2）的导通生效；在所述开关电源系统的输出电压为低压供电电源（VCC）供电时，第一使能信号（EN1）为高电平，否则，第一使能信号（EN1）为低电平；所述检测支路（201）的正端接收所述的高压供电电源（VH），其负端接地，所述检测支路（201）包括串联的多个分压电阻（R2、R3、R4、R5）；所述检测支路（201）在所述高压供电电源（VH）和地电平之间分压以通过其第一分压输出端得到一第一分压信号（VDIV1）；所述开关电源高压线性供电电路还包括与所述第一分压信号（VDIV1）连接的跨导放大器（AMP），所述跨导放大器（AMP）输出的第一栅极控制信号与所述第一NMOS管（M1）的栅极连接，通过流经第一电阻（R1）的第一栅极控制信号来调节第一电阻（R1）上的压降，使得第一电阻（R1）上的压降对高压供电电源（VH）的电压值的变化进行负反馈，以使得高压供电电源（VH）保持在第一电压区间；所述检测支路（201）在所述高压供电电源（VH）和地电平之间分压以通过其第二分压输出端输出一第二分压信号（VDIV2）；所述自调节支路（301）包括第五NMOS管（M5），所述第五NMOS管（M5）的漏极连接所述的第一NMOS管（M1）的栅极，其栅极接收所述第二分压信号（VDIV2），其源极接地，从而在高压供电电源（VH）大于目标电压值时使得所述第一NMOS管（M1）关断；所述第一电压区间低于所述高压供电电源（VH）的目标电压值。

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