龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，制造方法包括：提供基底，在所述基底上形成依次层叠的第一隔离层、第一稳定层、第二隔离层及第二稳定层；形成贯穿所述第一隔离层、所述第一稳定层、所述第二隔离层及所述第二稳定层的通孔，在所述通孔的侧壁及底部形成下电极；去除部分厚度的所述第二稳定层，露出部分所述下电极；在露出的所述下电极侧壁形成掩膜层，且相邻所述下电极侧壁的所述掩膜层相抵接；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二稳定层，形成第一开口。本发明实施例能够简化生产工艺，提高电容的质量。
主权项：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成依次层叠的第一隔离层、第一稳定层、第二隔离层及第二稳定层；形成贯穿所述第一隔离层、所述第一稳定层、所述第二隔离层及所述第二稳定层的通孔，在所述通孔的侧壁及底部形成下电极；去除部分厚度的所述第二稳定层，露出部分所述下电极；在露出的所述下电极侧壁形成掩膜层，且相邻所述下电极侧壁的所述掩膜层相抵接；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二稳定层，形成第一开口；其中，去除部分厚度的所述第二稳定层后，还包括步骤：形成填充满所述通孔的填充层；所述填充层为单层结构；且所述填充层与所述掩膜层在同一工艺步骤中形成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制造方法及半导体结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号