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申请/专利权人：安徽大学
摘要：本发明提供一种SiCMOSFET栅氧老化状态在线监测电路与方法，通过漏源电压检测单元和信号判定单元实时监测栅极电压和漏源电压的变化，得到关于栅极电压变化的第二比较信号和关于漏源电压变化的第一比较信号，并将两个比较信号进行逻辑运算，根据逻辑运算结果的高电平持续时间得出两个能够体现SiCMOSFET栅氧层状况的参数，准确评估SiCMOSFET栅氧层的健康状况，有效提高SiCMOSFET的可靠性和使用寿命。且仅需一个电路即可实现两个时间参数的检测，具备电路结构简单，制备成本低的优点。
主权项：1.SiCMOSFET栅氧老化状态在线监测电路，其特征在于，包括：漏源电压检测单元、信号判定单元和测量单元；所述漏源电压检测单元的输出端与所述信号判定单元的第一输入端相连，用于检测所述SiCMOSFET的漏源电压大小，并根据所述漏源电压的大小得到一输出电压，并将所述输出电压输入至所述信号判定单元内；所述信号判定单元的第二输入端与所述SiCMOSFET的栅极相连；在所述SiCMOSFET关断和开通的不同阶段内，所述信号判定单元将所述输出电压以及栅极电压分别与第一参考电压和第二参考电压进行比较，得到第一比较信号和第二比较信号；并将所述第一比较信号与所述第二比较信号进行逻辑运算，将逻辑运算结果输入至所述测量单元内；所述测量单元根据所述逻辑运算结果的高电平持续时间，得出当所述SiCMOSFET处于关断阶段时所述SiCMOSFET关断起始时刻与米勒平台起始时刻之间的时间差，以及当所述SiCMOSFET处于开通阶段时米勒平台结束时刻与所述SiCMOSFET开通结束时刻之间的时间差；所述SiCMOSFET处于关断阶段时所述SiCMOSFET关断起始时刻与米勒平台起始时刻之间的时间差，以及所述SiCMOSFET处于开通阶段时米勒平台结束时刻与所述SiCMOSFET开通结束时刻之间的时间差均用于反映所述SiCMOSFET的栅氧老化状态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽大学 SiC MOSFET栅氧老化状态在线监测电路与方法
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