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申请/专利权人：湖南师范大学
摘要：本申请涉及一种SOI体接触MOS晶体管，本申请中的SOI体接触MOS晶体管，由于沟道区下方的体区为重掺杂体区，一方面，重掺杂的体区可以降低SOI体接触MOS晶体管的体接触电阻，使得体区积累的空穴或电子更高效的从体接触区以体电流的方式引出，从而能够稳定体电位，另一方面，体区作为寄生BJT的基区，重掺杂的基区可以使得基区的载流子复合率提高，能够降低寄生BJT集电区即MOS晶体管器件的漏区对载流子的收集，能够抑制漏端电流的增大，进而能够有效地抑制浮体效应，从而能够有效地提高器件的可靠性和提高器件的性能。
主权项：1.一种SOI体接触MOS晶体管，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的埋氧化层；位于所述埋氧化层上的半导体层；位于所述半导体层上的栅极；位于所述半导体层的源极、漏极、沟道区、体接触区和重掺杂体区，所述源极和所述漏极分别位于所述栅极的两侧下方，所述沟道区和所述重掺杂体区位于所述源极和所述漏极之间，所述沟道区位于所述栅极的下方，所述重掺杂体区位于所述沟道区的下方，所述体接触区与所述重掺杂体区接触，其中，所述源极和所述漏极均掺杂有第一导电类型离子，所述沟道区、所述体接触区和所述重掺杂体区均掺杂有第二导电类型离子。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南师范大学 一种SOI体接触MOS晶体管
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