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一种光辅助电化学刻蚀装置 

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申请/专利权人:中国科学院上海硅酸盐研究所

摘要:本实用新型的目的在于提供一种的光辅助电化学刻蚀装置,实现硅有序大孔阵列的简便且低成本的制备。包括:双槽主体、电源单元、光源单元、循环单元和搅拌单元,其中,所述双槽主体包括:盛装刻蚀液的反应槽、邻接所述反应槽且盛装导电液的导电液槽以及位于所述反应槽和所述导电液槽之间的硅片;所述光源单元以从所述导电液槽侧照射所述硅片的形式位于所述双槽主体外侧;所述循环单元与所述双槽主体的所述导电液槽连通;所述搅拌单元安装于所述双槽主体的所述反应槽内部;所述电源单元以与所述导电液槽和所述反应槽和所述硅片形成电回路的形式连接。

主权项:1.一种光辅助电化学刻蚀装置,其特征在于,是用于光辅助电化学刻蚀制备硅大孔阵列的双槽装置,包括:双槽主体、电源单元、光源单元、循环单元和搅拌单元,其中,所述双槽主体包括:盛装刻蚀液的反应槽、邻接所述反应槽且盛装导电液的导电液槽以及位于所述反应槽和所述导电液槽之间的硅片;所述光源单元以从所述导电液槽侧照射所述硅片的形式位于所述双槽主体外侧;所述循环单元与所述双槽主体的所述导电液槽连通;所述搅拌单元安装于所述双槽主体的所述反应槽内部;所述电源单元以与所述导电液槽和所述反应槽和所述硅片形成电回路的形式连接。

全文数据:

权利要求:

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