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申请/专利权人：力智电子股份有限公司
摘要：本实用新型提供一种横向功率晶体管结构，包括沿器件垂直方向自下而上的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，以及在所述势垒层上沿横向方向分布的源极结构、栅极结构与漏极结构。所述的横向功率晶体管结构还包括漏极端场板结构，位于漏极结构上方并与漏极结构电连接，且漏极端场板结构是由至少三层漏极端场板构成，并具有接近栅极结构的第一端部与远离栅极结构的第二端部。所述漏极端场板结构中的每一层与所述势垒层之间的垂直距离，正相关于所述第一端部与所述漏极结构的横向距离。本实用新型提供的横向功率晶体管结构，能降低或分散漏极边缘的电场峰值，以在漏极端增加场板的方式，改善漏极端电场强度。
主权项：1.一种横向功率晶体管结构，包括：沿器件垂直方向自下而上的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层；以及在所述势垒层上沿横向方向分布的源极结构、栅极结构与漏极结构，其特征在于，所述的横向功率晶体管结构还包括：漏极端场板结构，位于所述漏极结构上方并与所述漏极结构电连接，且所述漏极端场板结构包括至少三层漏极端场板构成，并具有接近所述栅极结构的第一端部，与远离所述栅极结构的第二端部；其中，所述漏极端场板结构中的每一层与所述势垒层之间的垂直距离，正相关于所述第一端部与所述漏极结构的横向距离。
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权利要求：
百度查询： 力智电子股份有限公司 横向功率晶体管结构
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