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申请/专利权人：北京飓芯科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种电子阻挡层保护结构及其生长方法，包括外延片，所述外延片的结构自下而上依次为衬底、应力调控层、下光限制层、下波导层、有源层、上波导层、应力缓冲层、电子阻挡层、保护层、上光限制层和接触层；所述应力缓冲层为含Al组分的氮化物层；所述电子阻挡层的结构包括第一阻挡层、高Al组分层和第二阻挡层；所述保护层为生长速度快的含Al组分的氮化物层。该电子阻挡层保护结构及其生长方法可以降低电子阻挡层的厚度的同时提高电子阻挡的效果，从而降低器件的串联电阻和电压，同时又具有很好的电子阻挡效果，减少电子泄漏，提高器件发光性能。
主权项：1.一种电子阻挡层保护结构，包括应力缓冲层7、电子阻挡层8、保护层9；所述应力缓冲层7为含Al组分的氮化物层；所述电子阻挡层8的结构包括第一阻挡层81、高Al组分层82和第二阻挡层83；所述保护层9为含Al组分的氮化物层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京飓芯科技有限公司 一种电子阻挡层保护结构及其生长方法
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