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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，所述晶圆上形成有目标层，所述目标层上形成有核心材料层；图形化核心材料层，形成分立的核心层；获得所述核心层的真实线宽；在所述核心层的侧壁上形成侧墙层；获得位于所述核心层侧壁上的所述侧墙层的厚度；基于所述核心层的真实线宽、位于所述核心层侧壁上的侧墙层厚度以及侧墙层的目标线宽，获得侧墙层所需的减薄量；基于所述减薄量，对位于所述核心层侧壁上的侧墙层的侧壁进行减薄处理；在所述减薄处理后，去除所述核心层。本发明实施例有利于对间距摆动进行精确控制。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆上形成有目标层，所述目标层上形成有核心材料层；图形化核心材料层，形成分立的核心层；获得所述核心层的真实线宽；在所述核心层的侧壁上形成侧墙层；获得位于所述核心层侧壁上的所述侧墙层的厚度；基于所述核心层的真实线宽、位于所述核心层侧壁上的侧墙层厚度以及侧墙层的目标线宽，获得侧墙层所需的减薄量；基于所述减薄量，对位于所述核心层侧壁上的侧墙层的侧壁进行减薄处理；在所述减薄处理后，去除所述核心层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法
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