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接合结构、半导体芯片及其制造方法 

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申请/专利权人:旺宏电子股份有限公司

摘要:本公开提供一种半导体芯片、接合结构以及半导体芯片的制造方法,该半导体芯片包括半导体衬底以及互连结构;半导体衬底包括多个半导体元件;互连结构配置于半导体衬底上且与半导体元件电性连接,其中半导体衬底或互连结构包括至少一个导体,且至少一个导体包括第一导电区域以及与第一导电区域连接的第二导电区域,而第一导电区域包括随机定向金属,且第二导电区域包括定向金属。

主权项:1.一种半导体芯片,包括:半导体衬底,包括多个半导体元件;以及互连结构,配置于所述半导体衬底上且与所述半导体元件电性连接,其中所述半导体衬底或所述互连结构包括至少一个导体,且所述至少一个导体包括第一导电区域以及与所述第一导电区域连接的第二导电区域,其中所述第一导电区域包括随机定向金属,且所述第二导电区域包括定向金属。

全文数据:

权利要求:

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