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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种用于改进超高阶分量的套刻参数的套刻校正方法，包括：通过测量获得套刻的未对准分量；将未对准分量转换为套刻参数；在套刻参数之间应用转换逻辑；将套刻参数转换为像差输入数据；以及通过将像差输入数据应用于曝光机来执行曝光工艺，其中，套刻参数被划分为第一套刻参数和第二套刻参数，第一套刻参数在作为狭缝的延伸方向的第一方向上偏移第二套刻参数在垂直于第一方向的第二方向上偏移，并且执行曝光工艺包括校正第一套刻参数和第二套刻参数，第一套刻参数和第二套刻参数包括相对于狭缝在第一方向上的位置的三阶或更高阶分量。
主权项：1.一种套刻改进方法，包括：通过测量获得套刻的未对准分量；将未对准分量转换为套刻参数；在套刻参数之间应用转换逻辑；将对其应用了转换逻辑的套刻参数转换为曝光机的像差输入数据；以及通过将像差输入数据应用于曝光机来执行曝光工艺，其中，套刻参数被划分为在第一方向上偏移的第一套刻参数和在第二方向上偏移的第二套刻参数，其中，第一方向对应于在曝光工艺中使用的狭缝的延伸方向，第二方向垂直于第一方向并且对应于曝光工艺的扫描方向，并且执行曝光工艺包括校正第一套刻参数和第二套刻参数，其中，第一套刻参数和第二套刻参数包括相对于狭缝在第一方向上的位置的三阶或更高阶分量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 套刻改进方法和包括该方法的制造半导体器件的方法
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