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申请/专利权人：力旺电子股份有限公司
摘要：一种非易失性存储器及其相关控制方法。在非易失性存储器致能后，判断非易失性存储器是否进入一读取模式、一编程模式或者一抹除模式。在确认非易失性存储器进入读取模式、编程模式或者抹除模式时，搜寻非易失性存储器内多个参考存储器胞中的一最糟临限电压。根据最糟临限电压，至少决定一读取用控制电压、一编程验证用控制电压与一抹除验证用控制电压。对非易失性存储器中的数据存储器胞进行一读取动作、一编程动作或者一抹除动作。
主权项：1.一种非易失性存储器的控制方法，该非挥性存储器包括存储器胞阵列，该存储器胞阵列中包括多个参考存储器胞以及多个数据存储器胞，且所述参考存储器胞维持在第一存储状态，该控制方法包括下列步骤：a1在该非易失性存储器致能后，判断该非易失性存储器是否进入读取模式、编程模式或者抹除模式；a2在确认进入该读取模式、该编程模式或者该抹除模式时，搜寻所述参考存储器胞中的最糟临限电压；a3根据该最糟临限电压，至少决定读取用控制电压、编程验证用控制电压与抹除验证用控制电压的其中之一；以及a4对所述数据存储器胞进行读取动作、编程动作或者抹除动作；其中，进行该抹除动作时，所述数据存储器胞会改变为抹除状态，所述参考存储器胞会由该第一存储状态改变为第二存储状态，再由该第二存储状态改变为该第一存储状态，并使得每一该参考存储器胞的编程抹除次数加1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 力旺电子股份有限公司 非易失性存储器及其相关控制方法
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