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申请/专利权人：X-FAB全球服务有限公司
摘要：一种形成光电二极管的方法，包括：提供半导体晶片；执行第一掺杂步骤，以在晶片中形成具有第一类型掺杂的第一阱；执行第二掺杂步骤，以形成具有第二类型掺杂的第二阱；执行浅沟槽隔离蚀刻，以在第二阱中在晶片的表面中形成多个沟槽；通过以相对于晶片的表面的第一角度注入掺杂剂来执行第三掺杂步骤；通过以相对于晶片的表面的第二角度注入掺杂剂来执行第四掺杂步骤；执行第五掺杂步骤，以增加第二类型掺杂在半导体晶片的在第二阱中的沟槽之间的表面处的掺杂浓度；以及形成用于接触第一阱的第一接触件以及形成用于接触第二阱的第二接触件。
主权项：1.一种形成光电二极管的方法，所述方法包括：提供包括半导体层的半导体晶片；执行第一掺杂步骤，以在所述半导体层中形成具有第一类型掺杂的第一阱；执行第二掺杂步骤，以形成具有第二类型掺杂的第二阱，以便在所述第一阱和所述第二阱之间形成所述光电二极管的pn结；执行浅沟槽隔离蚀刻，以在所述第二阱中在所述半导体层的表面中形成多个沟槽；通过以相对于所述晶片的表面的第一角度注入掺杂剂来执行第三掺杂步骤，以便增加所述第二类型掺杂沿着所述第二阱中的所述沟槽的侧面的掺杂浓度；通过以相对于所述晶片的表面的第二角度注入掺杂剂来执行第四掺杂步骤，以便增加所述第二类型掺杂在所述第二阱中的所述沟槽的底部处的掺杂浓度；执行第五掺杂步骤，以增加所述第二类型掺杂在所述半导体层的在所述第二阱中的所述沟槽之间的表面处的掺杂浓度；以及形成用于接触所述第一阱的第一接触件以及形成用于接触所述第二阱的第二接触件，以便在使用时跨所述pn结施加电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： X-FAB全球服务有限公司 光电二极管
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