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申请/专利权人：长春理工大学
摘要：本发明属于传感器检测技术领域，尤其为一种MXene基压力传感器阵列灵敏度的太赫兹技术检测方法，包括以下步骤：S1、太赫兹时域谱检测步骤，用以对MXene材料的太赫兹透射特性进行测量；S2、太赫兹成像步骤，使用太赫兹成像技术，得到所述MXene基柔性压力传感器阵列的阵列排布方式。本发明通过太赫兹成像技术和太赫兹时域光谱系统THz‑TDS技术，在太赫兹光照射所述阵列传感器时，可以同时得到阵列排布方式和电导率随应力变化情况，由于太赫兹的光子能量非常低，因此在检测过程中对阵列传感器样本的使用性能不造成影响或损害，能够做到高效地分析阵列排布对灵敏度的影响。
主权项：1.一种MXene基压力传感器阵列灵敏度的太赫兹技术检测方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、太赫兹时域谱检测步骤，用以对MXene材料的太赫兹透射特性进行测量；S2、太赫兹成像步骤，使用太赫兹成像技术，得到所述MXene基柔性压力传感器阵列的阵列排布方式；S3、施压步骤，通过对所述的MXene基压力传感器阵列施加不同大小的压力，改变MXene材料的电导率，进而得到不同的太赫兹透射率；S4、分析步骤，把上述得到的太赫兹透射率变化与上述施加的压力和上述得到的阵列排布方式结合，分析阵列传感器的阵列排布方式及其受力灵敏度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长春理工大学 一种MXene基压力传感器阵列灵敏度的太赫兹技术检测方法
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