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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
摘要：本申请公开了钙钛矿晶硅叠层电池和用电设备，该钙钛矿晶硅叠层电池包括：晶硅电池和钙钛矿电池，所述钙钛矿电池设置在所述晶硅电池的上方，所述晶硅电池包括硅基底，所述硅基底的表面线痕的高度h不超过10μm。本申请通过对硅基底的表面线痕的高度h作出规定，能够确保在采用溶液法制备钙钛矿吸光层时，使钙钛矿溶液在晶硅电池上铺展得更加均匀，并且使钙钛矿吸光层的厚度均匀性更好，从而能够明显提升钙钛矿晶硅叠层电池的开路电压Voc、填充因子FF和器件转换效率PCE。
主权项：1.一种钙钛矿晶硅叠层电池，其特征在于，包括：晶硅电池和钙钛矿电池，所述钙钛矿电池设置在所述晶硅电池的上方，所述晶硅电池包括硅基底，所述硅基底的表面线痕的高度h不超过10μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天合光能股份有限公司 钙钛矿晶硅叠层电池和用电设备
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