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申请/专利权人：住友电气工业株式会社
摘要：本发明提供一种砷化镓单晶基板，其具有圆形的主表面，并且具有第一积分强度比或第二积分强度比。第一积分强度比和第二积分强度比能够基于规定的X射线光电子能谱法通过砷和镓的图谱求出。第一积分强度比是作为一氧化二镓存在的镓元素的积分强度与作为三氧化二镓存在的镓元素的积分强度的和相对于作为砷化镓存在的镓元素的积分强度的比率，为12以下。第二积分强度比是作为一氧化二镓存在的镓元素的积分强度与作为三氧化二镓存在的镓元素的积分强度的和相对于作为五氧化二砷存在的砷元素的积分强度与作为三氧化二砷存在的砷元素的积分强度的和的比率，为1.2以下。长径为0.16μm以上的颗粒的个数在每1cm2的主表面中为2个以下。
主权项：1.一种砷化镓单晶基板，其具有圆形的主表面，所述砷化镓单晶基板具有第一积分强度比或第二积分强度比，所述第一积分强度比和所述第二积分强度比分别通过以下方式来得到：基于在X射线入射能量为150eV以及光电子的飞出角度为85°的条件下对所述主表面的中心照射X射线的X射线光电子能谱法，求出砷和镓的3d电子的检测强度相对于释放到所述砷化镓单晶基板外部的光电子的束缚能的图谱，所述第一积分强度比是作为一氧化二镓存在的镓元素的积分强度与作为三氧化二镓存在的镓元素的积分强度的和相对于作为砷化镓存在的镓元素的积分强度的比率，为12以下，所述第二积分强度比是作为所述一氧化二镓存在的镓元素的积分强度与作为所述三氧化二镓存在的镓元素的积分强度的和相对于作为五氧化二砷存在的砷元素的积分强度与作为三氧化二砷存在的砷元素的积分强度的和的比率，为1.2以下，存在于所述主表面的长径为0.16μm以上的颗粒的个数在每1cm2的所述主表面中为2个以下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 住友电气工业株式会社 砷化镓单晶基板及其制造方法
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