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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：所公开的方法包括在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的工序a。等离子体处理装置包括设置于腔室内的基板支撑部。基板支撑部包括支撑基板的第1区域和支撑边缘环的第2区域。第1区域包括第1电极，第2区域包括第2电极，方法进一步包括工序b，所述工序b分别对第1电极及第2电极周期性地施加电压的脉冲，以便将离子从等离子体引入到基板支撑部。方法进一步包括工序c，所述工序c为根据电压的脉冲分别被施加到第1电极及第2电极时的第1电极的第1电压值及第2电极的第2电压值，求出边缘环的消耗量。
主权项：1.一种求出边缘环的消耗量的方法，其特征在于，包括以下工序：a在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体，该等离子体处理装置包括设置于所述腔室内的基板支撑部，所述基板支撑部包括第1区域及第2区域，所述第1区域支撑被载置于该第1区域上的基板，所述第2区域支撑被载置于该第2区域上的所述边缘环，所述第1区域包括第1电极，所述第2区域包括第2电极；b在所述a中生成所述等离子体时，分别对所述第1电极及所述第2电极周期性地施加直流电压的脉冲，以便将离子从所述等离子体引入到所述基板支撑部；及c根据所述b中所述脉冲分别被施加到所述第1电极及所述第2电极时的所述第1电极的第1电压值及所述第2电极的第2电压值，求出所述边缘环的消耗量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 求出边缘环的消耗量的方法、等离子体处理装置及基板处理系统
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