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申请/专利权人：布鲁诺·凯斯勒基金会
摘要：本发明公开了一种具有电荷倍增二极管2的二极管辐射传感器1的制造方法，该方法包括以下步骤：提供由半导体材料制成的基底3，该基底具有前表面4和后表面4b；在该前表面4附近制作掺杂有第一预定量的第一类型掺杂剂的半导体材料的第一层5；在该基底3的深处制作掺杂有第二预定量的第二类型掺杂剂的半导体材料的第二层8，该第二类型的掺杂剂与该第一类型是电相反的。该第二层8通过将第一预定量的第一类型掺杂剂和第二预定量的第二类型掺杂剂插入到该基底3中来获得。
主权项：1.一种制造二极管辐射传感器1的方法，所述二极管辐射传感器1具有至少一个电荷倍增二极管2，所述方法包括以下步骤：制作由半导体材料制成的基底3，所述基底具有前表面4和与所述前表面4相对的后表面4b；至少在所述基底3的所述前表面4附近制作至少一第一层5半导体材料，其掺杂有第一预定量的第一类型掺杂剂；在所述基底3的深处制作至少一第二层8半导体材料，其掺杂有第二预定量的第二类型掺杂剂；所述第二类型掺杂剂与所述第一类型掺杂剂是电相反的；所述方法的特征在于，通过在所述基底3要设置所述第二层8的相同区域中插入所述第一预定量的第一类型掺杂剂和所述第二预定量的第二类型掺杂剂来获得所述第二层8；所述第二预定量的第二类型掺杂剂，是通过注入所述第一预定量的第一类型掺杂剂和注入所述第二预定量的第二类型掺杂剂的效果之间的差异来获得，以便能够任意增加所述第二预定量的第二类型掺杂剂，由此减少所述第二层8经受的辐射对至少所述第二预定量的第二类型掺杂剂的影响。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 布鲁诺·凯斯勒基金会 用于制造二极管辐射传感器的方法
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