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申请/专利权人：江南大学
摘要：本发明公开了一种基于拉伸断裂应变的短沟道器件及其制备方法与应用，方法包括如下步骤：将贴合有电极的柔性衬底固定在设置有千分尺的拉伸装置上拉伸，通过千分尺控制拉伸长度，所述电极被拉断，断裂的距离为0.1‑1μm；通过机械剥离法制备二维半导体材料薄层；将被拉断的电极和二维半导体材料薄层二者择一作为底部材料转移到第一硅基衬底上，并将所述二者中的另一个作为顶部材料贴覆在所述底部材料上，得到短沟道器件。本发明短沟道器件的制备方法不依赖微纳加工和工艺控制技术，通过拉伸装置拉断电极，并通过千分尺控制沟道长度，获得0.1‑1μm的短沟道器件；制备方法简单、且可进行大批量处理。
主权项：1.一种基于拉伸断裂应变的短沟道器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将贴合有电极的柔性衬底固定在包括千分尺的拉伸装置上拉伸，通过千分尺控制拉伸长度，所述电极被拉断形成长度为0.1-1μm的沟道；S2、制备二维半导体材料薄层；S3、将被拉断的电极和二维半导体材料薄层二者择一作为底部材料转移到第一硅基衬底上，并将所述二者中的另一个作为顶部材料转移到所述底部材料上，得到短沟道器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江南大学 一种基于拉伸断裂应变的短沟道器件及其制备方法与应用
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