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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：描述了具有均匀网格金属栅极和沟槽接触切割的集成电路结构。例如，集成电路结构包括在水平纳米线的垂直堆叠上方的栅极电极。导电沟槽接触与栅极电极相邻。电介质侧壁间隔物位于栅极电极和导电沟槽接触之间。第一和第二电介质切割插塞结构延伸穿过栅极电极、穿过电介质侧壁间隔物以及穿过导电沟槽接触，第二电介质切割插塞结构与第一电介质切割插塞结构横向间隔开并平行。栅极电极在第一电介质切割插塞结构和第二电介质切割插塞结构之间具有零边缘放置误差。外延源极或漏极结构位于水平纳米线的垂直堆叠的端部，并且位于导电沟槽接触下方。
主权项：1.一种集成电路结构，包括：水平纳米线的垂直堆叠；位于水平纳米线的垂直堆叠上方的栅极电极；与栅极电极相邻的导电沟槽接触；位于栅极电极和导电沟槽接触之间的电介质侧壁间隔物；第一电介质切割插塞结构，其延伸穿过栅极电极、穿过电介质侧壁间隔物以及穿过导电沟槽接触；第二电介质切割插塞结构，其延伸穿过栅极电极、穿过电介质侧壁间隔物以及穿过导电沟槽接触，第二电介质切割插塞结构与第一电介质切割插塞结构横向间隔开并平行，其中栅极电极在第一电介质切割插塞结构和第二电介质切割插塞结构之间具有零边缘放置误差；以及位于水平纳米线的垂直堆叠的端部并且位于导电沟槽接触下方的外延源极或漏极结构，其中外延源极或漏极结构在第一电介质切割插塞结构和第二电介质切割插塞结构之间具有零边缘放置误差。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 具有自对准均匀网格金属栅极和用于槽栅极的沟槽接触切割的集成电路结构
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