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申请/专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
摘要：一种钝化结构的形成方法，包括：提供硅基底，硅基底包括相对的第一表面和第二表面；形成氧化硅层，氧化硅层位于所述硅基底的第一表面和第二表面中的至少一个的至少部分位置；在氧化硅层背离硅基底的表面上形成第一硅层；形成阻挡层，阻挡层位于第一硅层的背离硅基底的表面上；在阻挡层背离硅基底的表面形成第二硅层；从硅基底具有第二硅层的一侧进行掺杂源扩散，第二硅层的部分转变成硅玻璃层，或第二硅层与阻挡层均转变成硅玻璃层。本申请创新地提出了一种太阳能电池的钝化结构的形成方法，有效防止底层的第一硅层受到太高浓度的掺杂元素扩散导致掺杂原子过多造成晶格畸变大的问题，由此可获得掺杂均匀的多晶硅层。
主权项：1.一种钝化结构的形成方法，其特征在于，包括：提供硅基底，所述硅基底包括相对的第一表面和第二表面；形成氧化硅层，所述氧化硅层位于所述硅基底的第一表面和第二表面中的至少一个的至少部分位置；在所述氧化硅层背离所述硅基底的表面上形成第一硅层；形成阻挡层，所述阻挡层位于所述第一硅层背离所述硅基底的表面上；在所述阻挡层背离所述硅基底的表面形成第二硅层；从所述硅基底具有所述第二硅层的一侧进行掺杂源扩散，所述第二硅层的部分转变成硅玻璃层，或所述第二硅层与所述阻挡层均转变成硅玻璃层。
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百度查询： 隆基绿能科技股份有限公司 钝化结构的形成方法
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