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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本发明提供了一种横向耐压的平面栅碳化硅MOSFET的制备方法，包括：在碳化硅绝缘衬底淀积生长形成N型阱区；在N型阱区上方形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型阱区、第一N型源区、第二N型源区、P型源区、N型耐压区以及P型耐压区；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，进行淀积，形成栅介质层；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，进行金属淀积，形成栅极金属层；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成两个通孔，进行金属淀积，分别形成源极金属层和漏极金属层，去除阻挡层，完成制备，提高器件的耐压能力，且不需要加厚外延层的厚度。
主权项：1.一种横向耐压的平面栅碳化硅MOSFET的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在碳化硅绝缘衬底淀积生长形成N型阱区；步骤2、在N型阱区上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，对N型阱区进行离子注入，形成P型阱区；步骤3、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，对P型阱区以及N型阱区进行离子注入，分别形成第一N型源区以及第二N型源区；步骤4、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，对P型阱区进行离子注入，形成P型源区；步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，对P型阱区进行离子注入，形成N型耐压区；步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，对N型阱区进行离子注入，形成P型耐压区；步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，进行淀积，形成栅介质层；步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，进行金属淀积，形成栅极金属层；步骤9、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成两个通孔，进行金属淀积，分别形成源极金属层和漏极金属层，去除阻挡层，完成制备。
全文数据：
权利要求：
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