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申请/专利权人：南京原磊纳米材料有限公司
摘要：本申请涉及晶圆技术领域，提供一种晶圆ALD反应设备，包括等离子发生器和反应腔；反应腔包括腔体和顶盖，顶盖上设置集成进气块，集成进气块内设置连通载气通道和出气通道；进气口末端设置缩口结构，缩口结构末端设置有第一筛板，第一筛板与晶圆放置台之间设置有第二筛板；第二筛板上设置有多圈喷淋孔，沿第二筛板的中心至边缘的方向上，多圈喷淋孔分为内圈区域、中圈区域和外圈区域。应用本申请的技术方案，将外圈区域的喷淋孔的密度设置为大于中圈区域的喷淋孔的密度，且小于内圈区域的喷淋孔的密度，这样，使带有前驱体的载气能够均匀的透过第二筛板，保证晶圆各个位置的前驱体量相同，从而通过控制腔体的流场均匀性，提高ALD成膜均匀型。
主权项：1.一种晶圆ALD反应设备，其特征在于，包括：等离子发生器1、反应腔2和晶圆放置台3，所述晶圆放置台3放置在反应腔2内；所述反应腔2包括腔体201和封堵所述腔体201的顶盖202，所述顶盖202上设置有多个歧管块12，在所述歧管块12、所述顶盖202和所述腔体201的本体上设置有相通的载气通道203，所述顶盖202上还设置有集成进气块204，多个所述歧管块12与所述集成进气块204相连，所述集成进气块204内设置有进气口，所述进气口分别与所述载气通道203和所述等离子发生器1的出气通道101连通；所述进气口末端设置有缩口结构205；所述缩口结构205末端设置有第一筛板206，所述第一筛板206与晶圆放置台3之间设置有第二筛板207；所述第二筛板207在周向方向上设置有多圈喷淋孔2071，沿所述第二筛板207的中心至边缘的方向上，多圈喷淋孔2071分为内圈区域、中圈区域和外圈区域；所述外圈区域的喷淋孔2071的孔径小于所述中圈区域的喷淋孔2071的孔径，且，大于所述内圈区域的喷淋孔2071的孔径；所述外圈区域的喷淋孔2071的密度大于所述中圈区域的喷淋孔2071的密度，且，小于所述内圈区域的喷淋孔2071的密度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京原磊纳米材料有限公司 一种晶圆ALD反应设备
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